标准GaN外延生长流程 高温除杂 反应室炉温升高1200 , 通入氢气,高温、燃烧 除去衬底上的杂质,时 间10min。 蓝宝石衬底 (4305m) 高温、通H 2 10min 标准GaN外延生长流程 : 长缓冲层 炉温降底控制在530 时, 在蓝宝石衬底上生长一层 300A厚的GaN缓冲层，时 间3min。 蓝宝石衬底(430m) GaN缓冲层300A 标准GaN外延生长流程 退火 炉温升至1150 ， 时间7min，将低温 长的非晶缓冲层通 过高温形成多晶GaN 缓冲层。 蓝宝石衬底(430m) GaN缓冲层300A 1150 退火 标准GaN外延生长流程 长GaN单晶 将炉温控制至1160 , 在GaN缓冲层上生长 一层0.5m厚的GaN单 晶 。 蓝宝石衬底(430m) GaN单晶 0.5m 标准GaN外延生长流程 长N型GaN 将炉温控制至1160 , 长GaN 的同时掺Si(浓 度510 8 /cm 3 ),时间1 小时。 蓝宝石衬底(430m) N型GaN 2.5ml 长多量子阱MQW 炉温降至750 ,先长 一层InGaN(20A),接着 长一层GaN (140A),
