精选优质文档-倾情为你奉上IEGT电力半导体器件家族中的新成员注入增强栅晶体管IEGT1 引 言众所周知，人类第一个晶闸管(SCR)发明到今已近50年。电力电子成套装置不断对电力半导体器件提出新的、更高的要求，这些要求可概括为dv/dt和di/dt尽可能的高，开关速度尽可能的快，通态压降尽可能的低，而通流能力尽可能的大。这些要求成为电力半导体器件发明和进步的直接推动力，促使如今电力半导体器件并已形成了一个庞大的家族。几年前人们普遍看好MOS控制晶闸管MCT，由于这类器件压降低于IGBT，并且无二次击穿现象，dv/dt和di/dt可分别达到2000V/s和20000A/s以上，应用它可以制成无缓冲器的变流器，所以，有人当时过早断言“MCT将把所有电力半导体器件赶进棺材，并钉上最后一颗钉子。”但过了七、八年，由于当今电力半导体工艺水平和材料的限制，极低的成品率和昂贵的成本导致MCT相继被美国GE公司和Harris公司暂停研究，几乎到了被打入冷宫的地步。集成门极换向晶闸管IGCT和注入增强栅晶体管IEGT的发明，给电力半导体器件带来了新的生机。本文旨在探
