氮化镓及其异质结特性 氮化镓的基本物理特性 金属和GaN 及AlGaN/GaN 的肖特基接触 1Si 材料： 大家对硅材料都已相当熟悉，由硅材料制造的各种电器产品在我们 的日常生活中几乎无处不在。 硅材料本身存在着一些缺点： 1. 带隙窄，只能在较低的温度下使用。 2. 硅是一个间接带隙的半导体，即电子从导带跃迁到价带时不发射光 子，能量的改变而是以热的形式释放到晶格中，因而在光电应用中 受到了很大的限制。 2GaAs 材料： 被认为是继硅、锗之后的第二代半导体材料，是目前应用最广的 族化合物。 有很高的电子迁移率，适于制造高频、高速电子器件。 是一个直接带隙的半导体材料，光电转换效率、发光效率较高，适合 于制造光电器件。 带隙相对比较低，300K 时仅为1.4eV ，不适合制造用于高温以及波长 较短的光电器件。 3GaN 材料 不同于Si 和GaAs ，以GaN 为代表的基于V 元素的氮化物及其合金， 在很多方面克服了Si 和GaAs 的一些缺点，被认为是新一代半导体材料， u 有纤锌矿和闪锌矿两种晶体结构 ，一般情况下为纤锌矿结构。 u 氮化镓是直接禁带半导体可以作为光电器件。 u
