石墨相氮化碳（g-C 3 N 4 ）材料简介 引言 g-C 3 N 4 的合成制备 g-C 3 N 4 的材料改性 g-C 3 N 4 的应用领域 展望1. 引言 Fujishima TiO 2 光解水示意图 19671. 引言 常见半导体在pH=0时的禁带宽度以及与标准氢电极电位、真空能 级的相对位置 带隙较宽对可见光响应弱或无响应 （如TiO 2 、ZnO） 带隙较窄部分光腐蚀现象严重（如CdS） 均含有过渡金属元素1. 引言 2008年 王心晨 N C1. 引言 优点：非金属半导体、原料丰富价格低、带隙合适、化学稳定且无毒 缺点：比表面积比较低、有限的可见光吸收、光生载流子易复合 2.7 eV e - h + E f2. g-C 3 N 4 的合成制备 主流方法：热聚合简单、快捷、大批量 其他方法：CVD、溶剂热复杂、耗时、产量低2. g-C 3 N 4 的合成制备 1. 2. 3. Cyanamide Dicyanamide Melamine Tri-s-triazine2. g-C 3 N 4 的合成制备 4. 5. Urea Thiourea 异原子 Urea : 58 m
