第7章 薄膜晶体管的 结构及设计 长春工业大学 王丽娟 2013年02月10日 平板显示技术基础，2013年，北京大学出版社 17.1 a-Si:H TFT结构概述 7.2 背沟道刻蚀结构的a-Si:H TFT 7.3 背沟道保护结构的a-Si:H TFT 7.4 其他结构的a-Si:H TFT 7.5 薄膜晶体管阵列的设计 本章主要内容 27.1 a-Si:H TFT 结构概述 （b）背沟道刻蚀型 源极 栅极 n + a-Si a-Si:H SiN x 漏极 SiN x 阻挡层 栅极 n + a-Si a-Si:H 源极 SiN x 漏极 栅极 （c）背沟道保护型 SiN x a-Si:H 源极 （a）正交叠型 漏极 遮光层 栅极 顶栅结构是栅极在上面的一种结构； 底栅结构是栅极在下面的一种结构，又可以分为背沟道刻蚀型（Back- channel etched）和背沟道保护型（Back-channel stop） 。 37.2 背沟道刻蚀型 TFT 的工艺流程 4 PEP 1 栅极 Mo/AlNd PEP 2 a-Si:H 岛 SiNx /-Si/ n+-Si PEP 3 源漏电极及
