第四章 晶体三极管及其基本放大电路 4.1 晶体三极管 4.2 放大电路的组成原则 4.3 放大电路的基本分析方法 4.4 晶体管放大电路的三种接法 4.5 放大电路的频率响应4.1 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的电流放大作用 三、晶体管的共射特性曲线 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 Bipolar Junction Transistors (BJTs) 晶体管又称三极管、双极型晶体管。一、晶体管的结构和符号结构、符号和分类 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 基区 发射区 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 E C B E C B 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。（2）基区要制造得很薄且掺杂浓度很低 。 三极管的结构特点: （1）发射区的掺杂浓度集电区掺杂浓度。 （3）集电结面积较大，便于收集载流子和散热 。 晶体管实现电流放大的内部条件。分类 ： 按材料分： 硅管、锗管 按功率分： 小功率管 1 W 中功率管 0.5 1 W1. 三极管放大的条件 内部 条件
