1、半导体器件原理研讨作业 01多晶硅发射极双极型晶体管近年来，双极型晶体管采用重掺杂多晶硅作为发射极已成为一种主流趋势，如下图所示。采用多晶硅发射极工艺，可以提高晶体管的电流增益，减小管子上升和下降时延，改善其频率特性。 请参看相关的书籍和文献。讨论重掺杂多晶硅双极型晶体管能带分布，少子分布，电流分布，增益，频率等特性以及不同参数对电学特性的影响。每组必须有自己的特色，有所侧重，不可雷同，如果有条件可以加入软件模拟数据。鼓励自由发挥，可以不拘泥于上述内容。讨论日期： 11月 5日讨论形式： 2个人为一组，自由组合，其中一名同学主讲，另外同学可做补充，每人一次轮换。讨论会前两天各组把名单和准备的
2、PPT发给我。每组 20分钟，演讲结束后还有 5分钟的提问时间，采用 PPT演讲形式。全体学生名单（共 30人），分为 15组，每组 2人。15307110435 唐雨心16300720010 李基成16300720017 周俊16300720018 陈德扬16300720022 王君易16300720025 陈旭16300720026 李志宇16300720031 陈文翰16300720032 侯秉镜16300720034 刘旭东16300720038 杨洋16300720040 冯博涵16300720045 王鹏16300720047 赵笑彬16300720060 张洋箔16300720065 王小康16300720072 范龙飞16300720082 李运16300720086 许雨萍16300720088 黄晓丽16300720089 周天舒16300720090 王依婷16300720096 余梦圆16300720098 王慧敏16300720101 石润明16300720102 易晓玲16300720106 李思芮16300720108 王梦娜16300720109 熊亚16300720114 韩娜
