1 现代 现代 CMOS CMOS 工艺 工艺 基本流程 基本流程 第九章 工艺集成 艺基本流程知识回顾 2 n 半导体衬底 n 掺杂 n 氧化 n 光刻技术 n 刻蚀技术 n 薄膜技术工艺集成 3 集成电路的工艺集成： 运用各类单项工艺技术（外延、氧化、气相沉积、光 刻、扩散、离子注入、刻蚀以及金属化等工艺）形成电路 结构的制造过程。 薄膜形成 光刻 掺杂、刻蚀工艺集成 4 形成薄膜：化学反应，PVD，CVD，旋涂，电镀； 光刻：实现图形的过渡转移； 改变薄膜：注入，扩散，退火； 刻蚀：最后图形的转移； 器件的制备：各种工艺的集成 MOS，CMOS， 工艺目的：工艺的选择 5 工艺条件： 温度, 压强, 时间, 功率, 剂量,气体流量, 工艺参数： 厚度, 介电常数, 应力, 浓度, 速度, 器件参数： 阈值电压, 击穿电压, 漏电流, 增益,一、集成电路中器件的隔离 6 由于MOSFET的源、漏与衬底的导电类型不同， 所以本身就是被PN结所隔离，即自隔离(self-isolated)； MOSFET晶体管是自隔离，可有较高的密度， 但邻近的器件会有寄生效应； LOCOS 隔离 7
