数字集成电路的结构特点CMOS电路.PPT

数字集成电路的结构特点（CMOS电路）MOS晶体管模型组合逻辑基本结构逻辑单元的优化设计组合单元的规模约束问题时序逻辑的时间关系问题MOS晶体管模型典型尺度参数为：沟道宽度 W、沟道长度 L，逻辑面积 A；MOS晶体管电学模型典型参数为：导通电阻、栅极电容、漏极电容和源极电容电学参数与尺度参数的关系在电路单元设计时，为了提高集成度，通常沟道长度总是希望保持最小值，而沟道宽度却可以进行加长；CMOS基本电路结构通常采用 N网络与 P网络互补连接构成：N网络实现逻辑，并联为 “ 与 ” ，串联为 “ 或 ”典型 CMOS基本电路CMOS反相器 典型 CMOS基本电路与非门和或非门典型 CMOS基本电路与或非结构（ AOI）CMOS传输门（ TG）电路采用 N晶体管和 P晶体管并接构成，两管的栅极接互补控制电平。CMOS传输门（ TG）电路异或门 MUX2