迁移率与杂质浓度和温度的关系 庞智勇 山东大学物理学院 本幻灯片参照刘恩科等所编著教材半导体物理学编写半导体物理 Semiconductor Physics 本节采用简单的模型来讨论电导率、 迁移率和散射几率的关系，进而讨论它们 与杂质浓度和温度的关系。 本节没有考虑载流子速度的统计分布 情况。半导体物理 Semiconductor Physics 平均自由时间和散射几率的关系 设有N 个电子以速度v 沿某方向移动，N(t) 表示t 时刻 尚未遭到散射的电子数。那么，在t 到t+t 时间内被散 射的电子数为 总电子数 单位时间被散射的几率 时间 = N(t)P t 它是t 时刻与t+t 时刻未被散射电子数的差 N(t)- N(t+t) = N(t)P t 当t 很小时，可以写为 半导体物理 Semiconductor Physics t 到t+dt 时间内被散射的电子数为 遭到散射的所有电子的自由时间总和 平均自由时间 此处利用了常用积分公式 平均自由时间等 于散射几率的倒数半导体物理 Semiconductor Physics 电导率、迁移率 设电子具有各向同性有效质量m n *
