1、 高级维修电工理论培训教材2008 051半导体三极管：一基本结构：三层半导体 (N、 P、 N或 P、 N、 P)；三个电极 (基极 B、发射极 E、集电极 C)；两个 PN结 (发射结、集电结 )。1类型：按频率可分为：高频管和低频管按功率可分为：大功率管、中功率管和小功率管按半导体材料可分为：硅管和锗管按结构可分为： NPN型和 PNP型。目前国产的 NPN型晶体管多为硅管 (3D系列 )， PNP型晶体管多为锗管(3A系列 )。2放大器中晶体管的三种接线方式：以 NPN型为例(1) 共发射极接法：将发射极作为输入与输出的公共端。如下图 (a)(2) 共集电极接法：将集电极作为输入与输出
2、的公共端。如下图 (b)(3) 共基极接法：将基极作为输入与输出的公共端。如下图 (c)三种接法的性能比较见 P.31表 3-13特性曲线：(1) 输入特性曲线：是当集电极 发射极电压 UCE为常数时，基极回路中基极电流 IB与基极 发射极电压 UBE之间的关系曲线。即：IB f (UBE) UCE=C 如下图所示：从图中可以看出：三极管的输入特性曲线有一段死区，只有在发射结电压大于死区电压时，三极管才会导通，出现基极电流 IB，硅管的死区电压约为0.5 0.6V，锗管约为 0.2 0.3V。导通后，在正常工作情况下， NPN型硅管的发射结电压 UBE 0.6 0.7V， PNP型锗管的发射结
3、电压 UBE 0.2 0.3V。(2) 输出特性曲线：是当基极电流 IB为常数时，集电极回路中集电极电流 IC与集电极 发射极电压 UCE 之间的关系曲线。即 IC f(UCE) IB=C 如下图所示。在不同的 IB下可以得到不同的曲线，所以三极管的输出特性曲线是一曲线组族。在输出特性曲线上可以划分三个区域：1截止区：IB 0以下的区域。对 NPN型硅管而言，当 UBE 0.5V时即已开始截止。为了截止可靠，常使 UBE0， 此时集电结和发射结都处于反向电压下，称为反向偏置 。但是由于温度影响，集电极回路中仍有很小的电流 ICEO 称为穿透电流流过。硅管的穿透电流很小，常温下在微安以下。特点：
4、集电结和发射结都处于反向偏置。 2放大区：当发射结正向偏置时，曲线较平坦的部分是放大区。对硅管来说 ,当 UBE 0.5V,而集电结又有一定的反向电压时 ,发射区扩散到基区的电子绝大部分被集电极所收集 ,ICIE, IB很小。此时 IC只随着 IB而改变，和UCE的大小基本无关。从特性曲线和电流形成过程都可以看出， IC的变化比 IB的变化大得多，晶体管具有很强的电流放大作用。特点：发射结正偏而集电结反偏。 3饱和区：如果 IC随 IB增加时，使 UCE下降为UCEUBE，发射结和集电结都将处于正向偏置，此时如果 IB再增大， IC也不会按IC IB增加，晶体三极管失去放大作用，这种情况称为饱和。我们把 UCE UBE的状态称为临界饱和，把 UCE UBE的状态称为过饱和。特点：发射结和集电结皆正偏。
