北理工微电子器件复习资料(共11页).doc

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资源描述

精选优质文档-倾情为你奉上一、 基础知识1、 基本概念(1) 本征、非本征;复合、产生;自由电子、空穴;(2) 简并、非简并:2;(3) 平衡:费米能级一致性、非平衡:准费米能级;(4) 费米分布、非简并玻尔兹曼分布:2、 三个基本方程(1) 泊松方程:;(2) 漂移和扩散电流密度:,其中扩散系数与迁移率存在爱因斯坦关系,爱因斯坦关系推导是由载流子浓度与能量关系的方程得到的;(3) 连续性:,其中为载流子的净复合率,0为净复合,0为净产生。二、 PN结突变PN结;非简并平衡状态;电压-电流特性、准费米能级、大注入;击穿;电容;开关与频率的关系。0、 PN结简介突变结、线性缓变结;定义冶金界面和X轴垂直。1、 PN结平衡平衡:温度均匀稳定,无外加能量。突变结:空间电荷区(耗尽区、势垒区)、中性区(耗尽近似和中性近似矛盾)、内建电场、内建电势、耗尽区宽度、能带图。(1) 电场和电势思路:首先根据基本方程1得到内建电场、耗尽区宽度与内建电势的关系,然后根据基本方程2得到内建电势与掺杂浓度的关系。-

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