硅单晶中碳氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法(共14页).doc

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精选优质文档-倾情为你奉上国家标准硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法(预审稿)编制说明一、 工作简况1、 项目背景和立项意义氧和碳是硅单晶中十分重要的杂质元素,无论是对太阳能电池还是电子器件的硅单晶材料性能都存在一定的影响,因此需要对其进行准确测量和有效控制。随着市场竞争日益激烈,对多晶硅产品的质量要求越来越高,目前在多晶硅产品标准GB/T 25074-2010太阳能级多晶硅和GB/T 12963-2014电子级多晶硅分别规定了氧和碳的指标要求,其中最新修订的GB/T 12963-2014规定了电子一级碳浓度41015atomscm-3(0.08ppma)、氧浓度11016atomscm-3(0.2ppma)。常温红外光谱由于其快速、无损、易于维护等特点被广泛用于检测硅单晶中的间隙氧和代位碳含量,但在常温条件下,碳和氧的检测灵敏度不高,现行国家标准GB/T 1557-2006硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法规定的最低检出限为11016atomscm-3(0.2ppma);GB/T 1558-2009

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