精选优质文档-倾情为你奉上 表面低于导带底的光阴极（如GaAs:Cs-O)。表垒高于导带底的称为正电子亲和势光阴极(如Sb-K-Na-Cs)；表面势垒平于导带底的称为零电子亲和势光阴极（如GaAs:Cs）（图1）。1963年美国 R. E.西蒙斯根据半导体能带理论提出负电子亲和势概念。1965年荷兰J.J.席尔和J.范拉制成GaAs:Gs光阴极。人们又制出其他-族化合物光阴极，如 InP，GaxIn1-xAs(0x1)，GayIn1-yPzAs1-z（0y1，0z1)等，统称为-族化合物负电子亲和势光阴极.对负电子亲和势光阴极表面吸附的Cs-的解释，有异质结和偶极子两种模型（图2）。异质结模型认为，Cs-O表面层是一层体状的、具有N型半导体性质的Cs2O,它与P型-族化合物晶体（如掺Zn的GaSb）接触，形成异质结。此模型给出在表面吸附层内有一界面势垒（约 1.2电子伏）。根据偶极子模型，Cs-O层是很薄的Cs偶极子与Cs2O偶极子串联的双偶极子,其厚度约8埃。这与单原子尺度的实验是一致的。光阴极分反射式和透射
