模拟 模拟 CMOS CMOS 集成电路设计 集成电路设计 第 第 2 2 章 章 MOS MOS 器件物理基础 器件物理基础2.1 2.1 基本概念 基本概念 2 漏（D: drain）、 栅（G: gate）、 源（S: source）、衬底（B: bulk） G S D MOSFET：一个低功耗、高效率的开关 MOS MOS 符号 符号 3 模拟电路中常用符号 数字电路中常用 MOSFET是一个四端器件2.2 MOS 2.2 MOS 的 的 I/V I/V 特性 特性 n n 沟道的形成 沟道的形成 45 n n 阈值电压 阈值电压 V V TH TH n NMOS管的阈值电压通常定义为界面的电子浓度等于 P型衬底的多子浓度时的栅极电压。 在基础分析中，假定 在基础分析中，假定 V V GS GS 大于 大于 V V TH TH 时，器件会突然导通。 时，器件会突然导通。 通常通过沟道注入法来改变阈值电压的大小。6 n MOS器件的3个工作区 1. 1. 截止区 截止区 cutoff cutoff V GS V TH7 2. 2. 线性区 线性区 triode or linear
