12 5.3 结型场效应管(JFET) 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管3 q 掌握场效应管的直流偏置电路及分析 ； q 场效应管放大器的微变等效电路分析 法。4 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类：5 5.1 金属氧化物半导体 （MOS）场效应管 MOSFET简称MOS管，它有N沟道和P沟道之分 ，其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种 。 耗尽型：当v GS 0时，存在导电沟道，i D 0。 增强型：当v GS 0时，没有导电沟道，i D 0。6 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1结构 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO 2 绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型7 N 沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导 电沟道 G S D8 N P P G S D G S D P 沟道增强型9 P 沟道耗尽型 N
