P-N 结 P-N junction2.1 平衡PN结 2.1.1 PN结的制造工艺和杂质分布 2.1.2 平衡PN结的空间电荷区和能带图 2.1.3 平衡PN结的载流子浓度分布 2.2 PN结的直流特性 2.2.1 PN结的正向特性 2.2.2 PN结的反向特性 2.2.3 PN结的伏安特性 2.2.4 影响PN结伏安特性的因素 2.3 PN结空间电荷区的电场和宽度 2.3.1 突变结空间电荷区的电场和宽度 2.3.2 缓变结空间电荷区的电场和宽度 2.4 PN结的击穿特性 2.4.1 击穿机理 2.4.2 雪崩击穿电压 2.4.3 影响雪崩击穿电压的因素 2.5 PN结的电容效应 2.5.1 PN结的势垒电容 2.5.2 PN结的扩散电容 2.6 PN结的开关特性 2.6.1 PN结的开关作用 2.6.2 PN结的反向恢复时间 2.6.3 提高PN结开关速度的途径 2.7 金属半导体的整流接触和欧姆接触 2.7.1 金属半导体接触的表面势垒 2.7.2 金属半导体接触的整流效应与肖特基 二极管 2.7.3 欧姆接触2.1 平衡 PN 结 在P型半导体与N型半导体的紧密接触交界处，
