计算电磁学第六讲 Dr. Ping DU ( 杜平) E-mail: School of Electronic Science and Applied Physics ， Hefei University of Technology (HFUT) Nov. 3, 2011 FDTD 中的若干技术及应用 Date Outline I. 激励源的设置 II. 集总元件的模拟 III. 近场- 远场变换 IV.FDTD 法的一些应用实例 DateI. 激励源的设置 为减少引入源带来的内存占用和计算时间，要求激励源的实现要紧凑. 1.1 强迫激励源 在FDTD 网格中，通过直接对特定的电场或磁场分量强行赋予所需的时 间变化形式，可简便地建立强迫激励源。 比如，对一维TM 网格，波沿x轴传播，电场只有 分量，为模拟频率为 、在n=0 时开始的连续正弦波源， 可在源处( ) 令 为 另一种常用的源是高斯脉冲 (6-1) (6-2) Date若要求高斯脉冲在t=0 时刻近似为零，则应选取 T 由所需的脉冲频谱带宽决定 高斯脉冲的频谱 也是高斯形的。超过某个频率后，其频谱的幅度很小了，该频率称为 如，
