逻辑模拟 电路模拟 时序分析的作用和必要性 器件模拟 工艺模拟Ch7 模块化设计分层分级设计全定制标准单元库母片可测性设计 CH61 集成电路设计的特点（与分立元件电路的区别）2 集成电路设计信息描述的方法3 集成电路的基本设计流程4 自顶向下（ topdown ） 分层分级设计由底向上 人工版图设计5 集成电路的设计规则是什么，有哪两种方法，对比其特点。6 全定制设计方法设计反相器的棍形图、掩模版图设计二输入与非门、或非门的棍形图7 SC法、 BLL法、 GA法和可编程逻辑电路设计法的特点以及区别8 门阵列法（ GA法）掌握 CMOS门阵列六单元管的结构并设计三输入与非门、或非门等基本电路VDDVss 共价键 离子键 金属键 分子键Ch5 晶格的种类 缺陷的种类 点缺陷的种类 衬底材料的发展化学气相淀积 CVD外延正胶与负胶 钻蚀 替位式扩散和间隙式扩散 退火 Ch41 比较常见的三种光刻方法的优缺点及适用范围。2 集成电路制造工艺中制备二氧化硅最常用的两类方法是什么，分别适用于制备那种类型（六种）的二氧化硅层。3 MOS集成电路标准场氧化隔离、局域氧化隔离和开槽回填隔离工艺。4 CVD的常用方法有哪些？ CVD方法能制备哪些薄膜5 MOS集成电路的工艺流程6比较三种常用的干法刻蚀
