集成电路工艺原理 第七章离子注入原理 (上) INFO130024.02 集成电路工艺原理 仇志军 邯郸校区物理楼435室 1集成电路工艺原理 第七章离子注入原理 (上) INFO130024.02 大纲 第一章前言 第二章晶体生长 第三章实验室净化及硅片清洗 第四章光刻 第五章热氧化 第六章热扩散 第七章离子注入 第八章薄膜淀积 第九章刻蚀 第十章后端工艺与集成 第十一章未来趋势与挑战 2集成电路工艺原理 第七章离子注入原理 (上) INFO130024.02 有关扩散方面的主要内容 费克第二定律的运用和特殊解 特征扩散长度的物理含义 非本征扩散 常用杂质的扩散特性及与点缺陷的相互作用 常用扩散掺杂方法 常用扩散掺杂层的质量测量 Distributionaccording toerrorfunction Distributionaccording toGaussianfunction 3集成电路工艺原理 第七章离子注入原理 (上) INFO130024.02 实 际 工 艺 中 二 步 扩 散 第一步为恒定表面浓度的扩散（Pre-deposition） （称为预沉积或预扩散） 控制掺
