集成电路工艺之光刻光刻 l 1 、基本描述和过程 l 2 、光刻胶 l 3 、光刻机 l 4 、光刻工艺 l 5 、新技术简介光刻基本介绍 l 在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻 胶上的过程 l 将器件或电路结构临时“ 复制” 到硅片上的过程。 l 光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。 l 光刻占40% 到50% 的流片时间。 l 决定最小特征尺寸。 IC 制程中最重要的模块, 是集成电路中关键的工艺技术最 早的构想来源于印刷技术中的照相制版。光刻技术最早于 1958 年开始应用，并实现了平面晶体管的制作。光刻的一般要求 l 图形的分辨率高 l 光刻胶敏感度高 l 层间对准精密高 l 缺陷密度低光刻胶 l 开始于印刷电路 l 1950 年起应用于半导体工业 l 是图形工艺的关键 l 有正胶和负胶两种 l 光敏材料 l 均匀涂布在硅片表面 l 用曝光的方法转移设计图形到光刻胶上 l 类似于光敏材料涂布在照相用的底片上光刻胶的成分 l 聚合物 l 溶剂 l 感光剂 l 添加剂聚合物 l 固体有机材料（胶膜的主体） l 转移图形到硅片上 l UV 曝光后发生光化学反应，溶解性质
