第二章半导体中杂质和缺陷能级杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素 缺陷: 晶格中的原子周期性排列被破坏 a. 点缺陷：空位、间隙原子 b. 线缺陷：位错 c. 面缺陷：层错 杂质和缺陷对半导体的物理性能和化学性能会产 生决定性的影响。杂质和缺陷出现在半导体中时， 产生的附加势场使严格的周期 性势场遭到破坏。 杂质能级位于禁带之中 Ec Ev 杂质能级n 间隙式杂质：杂质原子 位于晶格原子的间隙位 置 间隙式杂质原子一般比 较小 n 替位式杂质：杂质原子 取代晶格原子位于晶格 点处 替位式杂质 原子的大 小与被取代的晶格原子 的大小比较相近,价电 子壳层结构相近。 2.1 Si、Ge晶体中的杂质能级 杂质浓度：单位体积中的 杂质原子数施主杂质：能够施放电子而产生导电电子并形成 正电中心 施主杂质和施主能级：受主杂质和受主能级：Si中掺硼B 受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴并形成 负电中心5、杂质的补偿作用 n 杂质的补偿:既掺有施主又掺 有受主 补偿半导体 （A） N D N A 时 n型半导体 因 E A 在 E D 之下， E D 上的束缚 电子首先填充E A 上的空位，
