模拟电子技术综合复习题(共35页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上模拟电子技术复习题综合（第1、2章）一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。A.二 B.三 C.四 D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。A.二 B.三 C.四 D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定