模拟电子技术-课后习题答案-康华光等编(共44页).doc

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精选优质文档-倾情为你奉上模拟电子技术习题答案第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值;(2)在室温(300K)的情况下,利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。解(1)求二极管的电流和电压(2)求vo的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l所示,温度 T300 K。 当rd1=rd2=rd时,则的变化范围为,即1.406V1.394V。2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端电压VAO。设二极管是理想的。解 图a:将D断开,以O点为电位参考点,D的阳极电位为6 V,阴极电位为12 V,故 D处于正向偏置而导通,VAO=6 V。图b:D的阳极电位为15V,阴极电位为12V,D对被反向偏置而截止,VAO12V。图c:对D1有阳极电位为 0V,阴极电位为12 V,故D1导通,此后使D2的阴极电位为 0V,而其阳极为15 V,故D2反偏截止,V

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