1 MOSFET 在感性负载下的 开关损耗公式 张兴柱 博士 2015年6月2 一：分析MOSFET 开关过程的原理图3 1：电流负载下的等效电路 下面的分析中假定： - 电感电流在开关过程中保持不变； - MOSFET 要考虑其寄生参数； - 二极管分两种情况（无反向恢复和有反向恢复）。4 2：分析用MOSFET 的简化等效电路 为了简化分析，先对 进行分析 然后再从它的分析结果，来对比分析获 得 时的结果5 二：MOSFET 的开关过程原理及分析 （二极管无反向恢复）6 - 在t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通； 开通过程的轨迹图 开通过程的波形图 t0-t1 区间：图中红色Phase1 这点轨迹。 MOSFET 的GS 电压经Vcc 对Cgs 充电而上 升，在t1 时刻，到达 维持电压Vgs(th) ，MOSFET 开始导电。 t0-t1 区间的等效电路 1：MOSFET 的开通过程原理 推导见下页7 t0-t1 区间： 方程 初始值 解 t1 时刻 该间隔是MOSFET 的延迟开通间隔。8 开通过程的轨迹图 开通过程的波形图 t1-t2
