霍尔效应实验 霍尔效应及其应用 置于磁场中得载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流与磁场得方向会产生一附加得横向电场,这个现象就是霍普斯金大学研究生霍尔于189年发现得,后被称为霍尔效应。随着半导体物理学得迅速发展，霍尔系数与电导率得测量已成为研究半导体材料得主要方法之一。通过实验测量半导体材料得霍尔系数与电导率可以判断材料得导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测量霍尔系数与电导率随温度变化得关系,还可以求出半导体材料得杂质电离能与材料得禁带宽度。如今，霍尔效应不但就是测定半导体材料电学参数得主要手段,而且随着电子技术得发展,利用该效应制成得霍尔器件,由于结构简单、频率响应宽(高达0Gz)、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制与信息处理等方面。在工业生产要求自动检测与控制得今天，作为敏感元件之一得霍尔器件,将有更广阔得应用前景。了解这一富有实用性得实验，对日后得工作将有益处。 一、实验目得 1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求得知识。 2学习用对称测量法消除副效应得影响，测
