巨磁阻传感器原理及应用 巨磁阻(GMR) 效应 法国科学家阿尔贝 费尔和德国科学家彼得 格林贝格尔因 分别独立发现巨磁阻效应. 巨磁阻(GMR) 效应: 这是一种在铁磁性层与 非铁磁性层交替叠置的结构中观测到的量 子效应，是指某些磁性或合金材料的磁电 阻在一定磁场作用下急剧减小，而r/r 急剧 增大的特性，一般增大的幅度比通常的磁 性与合金材料的磁电阻约高10 倍。GMR 效应的理论和机理GMR 效应的理论和机理 GMR 效应的理论很复杂，许多机理至今还 不清楚，目前普遍接受的解释是两流模型 ，如图1 所示。多个铁磁层中的磁矩方向由 施加的外磁场控制，当铁磁性层的磁矩反 平行排列时见图1(a) ，载流子受到的自旋散 射最大，多层膜电阻最高；当铁磁性层的 磁矩平行排列时见图1(b) ，载流子受到的自 旋散射最小，多层膜的电阻最低 巨磁阻(GMR) 的电子特性巨磁阻(GMR) 的电子特性 图2 是一个典型的多层GMR 材料在外加磁场 下的电阻变化情况。图2 中的输出表明，无 论是正向还是反向的外加磁场变化，都能 带来相同的磁阻变化，也就是说GMR 效应 是全极性的。曲线的斜率体现了磁性敏感
