模电习题1章常用半导体器件题解.docx

模电习题1章,常用半导体器件题解 章 第一章 常用半导体器件 自 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用和表示判断结果填入空内。 （1）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ ） （2）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （ 5） 结 型 场 效 应 管 外 加 的 栅 -源 电 压 应 使 栅 -源 间 的 耗 尽 层 承 受 反 向 电压，才能保证其 R GS 大的特点。（ ） （6）若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解 解：（1） （2） （3） （4） （5） （6） 二、选择正确答案填入空