2.1 半导体三极管 2.2 基本放大电路 2.3 放大电路的静态工作点对输出波形的影响 2.4 放大电路的直流偏置方式 2.5 放大电路的三种组态 2.6 放大电路性能指标的估算 2.7 多级放大电路 2.8 放大电路的频率特性 本章小结2.1 半导体三极管 2.1.1 三极管的结构 三极管是由两个PN结构成的，其基本特性是具有 电流放大作用。三极管按其结构不同分为NPN型和PNP 型两种。相应的结构示意图及电路符号如图2.1所示 。 图2.1 三极管的结构及符号 三极管内部结构分为发射区、基区和集电区， 相应的引出电极分别为发射极e、基极b和集电极c。 发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电 区和基区之间的PN结称为集电结。 电路符号中，发射极的箭头方向表示三极管在 正常工作时发射极电流的实际方向。 三极管在制作时，其内部结构特点是： (1 ) 发射区掺杂浓度高； (2 ) 基区很薄，且掺杂浓度低； (3 ) 集电结面积大于发射结面积。 以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。 三极管按其所用半导体材料不同，分为硅管和 锗管； 按用途不同，分为放大管、开关管和功率管； 按工作频率
