第6 章 离子镀膜 离子镀的英文全称Ion Plating, 简称IP 。 它是在真空条件下，应用气体放电实现镀膜，即在 真空室中使气体或被蒸发物质电离，在气体离子或 被蒸发物质离子的轰击下，将蒸发物或其反应物蒸 镀在基片上。 离子镀把辉光放电、等离子体技术与真空蒸发技术 结合在一起，不但显著提高了淀积薄膜的各种性能 ，而且大大扩展了镀膜技术的应用范围。 与蒸发镀膜和溅射镀膜相比较，除具有二者的特点 外，还特别具有膜层的附着力强、绕射性好、可镀 材料广泛等一系列优点，因此受到人们的重视。近 年来，在国内外得到迅速的发展。6.1 离子镀原理 结构：热蒸发源，直流负高压，进气管路，。 。1. 工作原理 当真空度抽至10 -4 Pa 的髙真 空后，通入惰性气体（Ar ） ，使真空度达到110 -1 Pa 。 接通高压电源，则在蒸发源 与基片之间建立了一个低气 压气体的等离子体区。 使镀材气化蒸发，蒸发粒子 进入Plasma 区，与等离子区 中的正离子和被激活的惰性 气体原子及电子发生碰撞， 其中一部分蒸发粒子被电离 成正离子，正离子在负高压 电场加速的作用下，到达并 沉积在表面成膜；其中一部
