第八章 半导体电子论 半导体的价带与导带之间的带隙介于0.23.5 eV 范 围内，其导电能力介于绝缘体与金属导体之间，室温下 半导体的电阻率在10 3 10 9 ( cm) 范围内。 在半导体中电子可以做多种形式的运动（如漂移、 扩散等），其性质与杂质、温度、光照及压力等有密切 关系。通过研究半导体的物理性质，可以不断揭示出各 种形式的电子运动，阐明其规律性，从而可以设计出更 多的半导体器件。因此，半导体材料有极其广泛的应用 前景。在所有固体材料中，半导体材料无疑是最令人感 兴趣的材料，也是被人们研究最广泛的材料之一。8.1 半导体的基本能带结构 半导体中能量最高的满带称为价带，能量最低的空 带称为导带。在价带顶和导带底之间的能量间隙称为带 隙（或能隙），用E g 表示。由于半导体的带隙较窄，因 此，在一定温度下，由于热激发，导带底有少量电子， 而价带顶有少量空穴。半导体的导电性就来自导带底的 少量电子或价带顶的少量空穴的贡献。我们将这些对电 流有贡献的电子和空穴称为载流子。而载流子的运动则 取决于半导体的能带结构。一、半导体的带隙 当光照射到半导体时，价带中的电子就会吸收光 子的能
