摩尔定律 节点技术MOSFET 在做小时面临的主要问题 短沟道效应之DIBL(漏致势垒降低)如何解决问题? 从减小漏极影响出发沟道掺杂以及应变硅技术 但载流子迁移率下 降,严重影响性能 ! 沟道掺杂降低了PN结 深度,从而减小漏源 极对沟道的影响。从减小漏极影响出发沟道掺杂以及应变硅技术 掺杂使得载流子迁 移率下降? 采用应变硅技术提 高载流子迁移率!从减小漏极影响出发SOI方案 去除栅极无法控制的区域,减小源漏极影响区。绝缘体上硅方案从增强栅极影响力出发HK-GM技术 增大栅极电容,加强对沟道控制。同时避免量子隧穿。Hk介电 层。从增强栅极影响力出发的综合方案FinFET 将通道维度往Z轴上拉,栅极三面包围通 道,强化控制! FinFET,鳍式场效应管从增强栅极影响力出发的综合方案FinFET FinFET可兼容 吸收SOI技 术、应变硅 技术、HKMG 技术的优点 ! 摩尔定律进一 步延续至 14nm、10nm
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