精简化的FinFET方案提出过程ppt课件.pptx

摩尔定律 节点技术MOSFET 在做小时面临的主要问题 短沟道效应之DIBL（漏致势垒降低）如何解决问题？ 从减小漏极影响出发沟道掺杂以及应变硅技术 但载流子迁移率下 降，严重影响性能 ！ 沟道掺杂降低了PN结 深度，从而减小漏源 极对沟道的影响。从减小漏极影响出发沟道掺杂以及应变硅技术 掺杂使得载流子迁 移率下降？ 采用应变硅技术提 高载流子迁移率！从减小漏极影响出发SOI方案 去除栅极无法控制的区域，减小源漏极影响区。绝缘体上硅方案从增强栅极影响力出发HK-GM技术 增大栅极电容，加强对沟道控制。同时避免量子隧穿。Hk介电 层。从增强栅极影响力出发的综合方案FinFET 将通道维度往Z轴上拉，栅极三面包围通 道，强化控制！ FinFET，鳍式场效应管从增强栅极影响力出发的综合方案FinFET FinFET可兼容 吸收SOI技 术、应变硅 技术、HKMG 技术的优点 ！ 摩尔定律进一 步延续至 14nm、10nm