1、1,电力电子技术,主讲：郑连清重庆大学电气工程学院,2,1.1 电力电子器件概述1.2 不可控器件电力二极管1.3 半控型器件晶闸管1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型电力电子器件 1.6 电力电子器件的驱动 1.7 电力电子器件的保护 1.8 电力电子器件的串联和并联使用 本章小结,电力电子器件,第1章,3,电子技术的基础,介绍各种常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题,简要概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题,本章主要内容：,电力电子器件,电力电子电路的基础,电子器件：晶体管和集成电路,引言,电力电子器件,第1章,4,电力电子器件的概述,1.
2、1.1 电力电子器件的概念和特征1.1.2 应用电力电子器件的系统组成1.1.3 电力电子器件的分类1.1.4 本章内容和学习要点,1.1,5,电力电子器件的概念和特征,电力电子电路的基础 电力电子器件概念:电力电子器件（power electronic device）可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。主电路（main power circuit）电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。广义上分为两类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管等电真空器件) 半导体器件 (采用的主要材料仍然是硅),1.1.1,6,3. 同处理信息的电子器件相比，电力电子器
3、件的一般特征：,能处理电功率的大小，即承受电压和电流的能力，是最重要的参数。电力电子器件一般都工作在开关状态。实用中，电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。为保证不致于因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏，不仅在器件封装上讲究散热设计，在其工作时一般都要安装散热器。,电力电子器件的概念和特征,1.1.1,7,主要损耗,通态损耗：,断态损耗：,开关损耗：,开通损耗：在器件开通的转换过程中产生的损耗,关断损耗：在器件关断的转换过程中产生的损耗,对某些器件来讲，驱动电路向其注入的功率也是造成器件发热的原因之一通常电力电子器件的断态漏电流极小，因而通态损耗是器件功率损耗的主要成因器件开关频率较高
4、时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素,电力电子器件的概念和特征,1.1.1,导通时器件上有一定的通态压降,阻断时器件上有微小的断态漏电流流过,8,应用电力电子器件的系统组成,电力电子系统：由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成,图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成,1.1.2,9,控制电路按系统的工作要求形成控制信号，通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的通或断，来完成整个系统的功能。,有的电力电子系统中，还需要有检测电路。广义上往往将其和驱动电路等主电路之外的电路都归为控制电路，从而粗略地说电力电子系统是由主电路和控制电路组成的。,主电路中的电压和
5、电流一般都较大，而控制电路的元器件只能承受较小的电压和电流，因此在主电路和控制电路连接的路径上，如驱动电路与主电路的连接处，或者驱动电路与控制信号的连接处，以及主电路与检测电路的连接处，一般需要进行电气隔离，而通过其它手段如光、磁等来传递信号,应用电力电子器件的系统组成,1.1.2,10,由于主电路中往往有电压和电流的过冲，而电力电子器件一般比主电路中普通的元器件要昂贵，但承受过电压和过电流的能力却要差一些，因此，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证电力电子器件和整个电力电子系统正常可靠运行，也往往是非常必要的。,器件一般有三个端子（或称极或管脚），其中两个联结在主电路中，而第三端被称
6、为控制端（或控制极）。器件通断是通过在其控制端和一个主电路端子之间加一定的信号来控制的，这个主电路端子是驱动电路和主电路的公共端，一般是主电路电流流出器件的端子。,应用电力电子器件的系统组成,1.1.2,11,电力电子器件的分类,按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类：,半控型器件,1.1.3,绝缘栅双极晶体管（Insulated-Gate Bipolar TransistorIGBT）电力场效应晶体管（电力MOSFET）门极可关断晶闸管（GTO）,不可控器件,电力二极管（Power Diode）只有两个端子，器件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电 流决定的。,通过控制信号既
7、可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。,晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定,全控型器件,通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。,不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。,12,按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类：,按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：,1) 电流驱动型,1) 单极型器件,电力电子器件的分类,1.1.3,2) 电压驱动型,通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制,仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制,2) 双极
8、型器件,3) 复合型器件,由一种载流子参与导电的器件,由电子和空穴两种载流子参与导电的器件,由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件,13,本章内容和学习要点,本章内容: 介绍各种器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。 然后集中讲述电力电子器件的驱动、保护和串、并联使用这三个问题。学习要点:最重要的是掌握其基本特性。掌握电力电子器件的参数和特性曲线的使用方法，这是在实际中正确应用电力电子器件的两个基本要求。由于电力电子电路的工作特点和具体情况的不同，可能会对与电力电子器件用于同一主电路的其它电路元件，如变压器、电感、电容、电阻等，有不同于普通电路的要求。,1.1
9、.4,14,不可控器件电力二极管,1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 1.2.2 电力二极管的基本特性 1.2.3 电力二极管的主要参数 1.2.4 电力二极管的主要类型,1.2,15,Power Diode结构和原理简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。 快恢复二极管和肖特基二极管，分别 在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位。,不可控器件电力二极管,1.2,16,PN结与电力二极管的工作原理,基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。 以半导体PN结为基础。 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种
10、封装。,图1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号,1.2.1,17,N型半导体和P型半导体结合后构成PN结。,图1-3 PN结的形成,交界处电子和空穴的浓度差别，造成了各区的多子向另一区的扩散运动，到对方区内成为少子，在界面两侧分别留下了带正、负电荷但不能任意移动的杂质离子。这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷。,PN结与电力二极管的工作原理,1.2.1,空间电荷建立的电场被称为内电场或自建电场，其方向是阻止扩散运动的，另一方面又吸引对方区内的少子（对本区而言则为多子）向本区运动，即漂移运动。,扩散运动和漂移运动最终达到动态平衡，正、负空间电荷
11、量达到稳定值，形成了一个稳定的由空间电荷构成的范围，被称为空间电荷区，按所强调的角度不同也被称为耗尽层、阻挡层或势垒区。,18,PN结的正向导通状态 电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态。PN结的反向截止状态 PN结的单向导电性。 二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要特征。PN结的反向击穿 有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式，可能导致热击穿。PN结的电容效应： PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。 结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD 。,PN结与电力二极管的
12、工作原理,1.2.1,19,势垒电容只在外加电压变化时才起作用。外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。势垒电容的大小与PN结截面积成正比，与阻挡层厚度成反比。,PN结与电力二极管的工作原理,1.2.1,扩散电容仅在正向偏置时起作用。在正向偏置时，当正向电压较低时，势垒电容为主；正向电压较高时，扩散电容为结电容主要成分。,结电容影响PN结的工作频率，特别是在高速开关的状态下，可能使其单向导电性变差，甚至不能工作，应用时应加以注意。,20,造成电力二极管和信息电子电路中的普通二极管区别的一些因素：正向导通时要流过很大的电流，其电流密度较大，因而额外载流子的注入水平较高，电导调制效应不能忽略。引线和
13、焊接电阻的压降等都有明显的影响。承受的电流变化率di/dt较大，因而其引线和器件自身的电感效应也会有较大影响。为了提高反向耐压，其掺杂浓度低也造成正向压降较大。,PN结与电力二极管的工作原理,1.2.1,21,电力二极管的基本特性,1. 静态特性主要指其伏安特性,图1-4 电力二极管的伏安特性,1.2.2,当电力二极管承受的正向电压大到一定值（门槛电压UTO），正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。与正向电流IF对应的电力二极管两端的电压UF即为其正向电压降。当电力二极管承受反向电压时，只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流。,22,2. 动态特性,电力二极管的基本特性,1.2.2,动态
14、特性,关断过程：,开关特性,须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态。 在关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。,反映通态和断态之间的转换过程,因结电容的存在，三种状态之间的转换必然有一个过渡过程，此过程中的电压电流特性是随时间变化的。,23,开通过程：电力二极管的正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如 2V）。这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfr。电导调制效应起作用需一定的时间来储存大量少子，达到稳态导通前管压降较大。正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降。电流上升率越大，UFP越高 。,2. 动态特性（续）
15、,电力二极管的基本特性,1.2.2,24,延迟时间：td= t1- t0, 电流下降时间：tf= t2- t1 反向恢复时间：trr= td+ tf 恢复特性的软度：下降时间与延迟时间 的比值tf /td，或称恢复系数，用Sr表示,图1-5 电力二极管的动态过程波形 a) 正向偏置转换为反向偏置 b) 零偏置转换为正向偏置,电力二极管的基本特性,1.2.2,25,电力二极管的主要参数,1. 正向平均电流IF(AV) 额定电流在指定的管壳温度（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。正向平均电流是按照电流的发热效应来定义的，因此使用时应按有效值相等的原则来选
16、取电流定额，并应留有一定的裕量。当用在频率较高的场合时，开关损耗造成的发热往往不能忽略。当采用反向漏电流较大的电力二极管时，其断态损耗造成的发热效应也不小。,1.2.3,26,2. 正向压降UF指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降有时参数表中也给出在指定温度下流过某一瞬态正向大电流时器件的最大瞬时正向压降3. 反向重复峰值电压URRM指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压通常是其雪崩击穿电压UB的2/3使用时，往往按照电路中电力二极管可能承受的反向最高峰值电压的两倍来选定,电力二极管的主要参数,1.2.3,27,4. 最高工作结温TJM结温是指管芯PN结的
17、平均温度，用TJ表示。最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。TJM通常在125175C范围之内。5. 反向恢复时间trrtrr= td+ tf ，关断过程中，电流降到零起到恢复反响阻断能力止的时间。6. 浪涌电流IFSM指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。,电力二极管的主要参数,1.2.3,28,电力二极管的主要类型,按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同介绍。在应用时，应根据不同场合的不同要求选择不同类型的电力二极管。性能上的不同是由半导体物理结构和工艺上的差别造成的。1. 普通二极管（General Purpose
18、 Diode）又称整流二极管（Rectifier Diode）多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中其反向恢复时间较长，一般在5s以上，这在开关频率不高时并不重要。正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。,1.2.4,29,2. 快恢复二极管（Fast Recovery DiodeFRD）,电力二极管的主要类型,1.2.4,恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（5s以下）的二极管，也简称快速二极管。工艺上多采用了掺金措施有的采用PN结型结构有的采用改进的PiN结构 采用外延型PiN结构的的快恢复外延二极管（Fast Recovery Epitaxial Dio
19、desFRED），其反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到2030ns。,30,3. 肖特基二极管以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier DiodeSBD），简称为肖特基二极管。20世纪80年代以来，由于工艺的发展得以在电力电子电路中广泛应用。肖特基二极管的弱点当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下。反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向
20、稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。肖特基二极管的优点反向恢复时间很短（1040ns）。正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高 。,电力二极管的主要类型,1.2.4,31,半控器件晶闸管,1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数 1.3.4 晶闸管的派生器件,1.3,32,晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled RectifierSCR）1956年美国贝尔实验室（
21、Bell Lab）发明了晶闸管1957年美国通用电气公司（GE）开发出第一只晶闸管产品1958年商业化开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型普通晶闸管，广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件,半控器件晶闸管,1.3,33,晶闸管的结构与工作原理,外形有螺栓型和平板型两种封装；引出阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端；对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便；平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。,图
22、1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号,1.3.1,34,Ic1=1 IA + ICBO1 （1-1） Ic2=2 IK + ICBO2 （1-2） IK=IA+IG （1-3） IA=Ic1+Ic2 （1-4）式中1和2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式（1-1）（1-4）可得 （1-5）,图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理a) 双晶体管模型 b) 工作原理,晶闸管的结构与工作原理,1.3.1,35,晶体管的特性是：在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，
23、迅速增大。 阻断状态：IG=0，1+2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。开通（门极触发）：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致1+2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA（阳极电流）将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。,晶闸管的结构与工作原理,1.3.1,36,其他几种可能导通的情况：阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应阳极电压上升率du/dt过高结温较高光直接照射硅片，即光触发光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，其它都因不易控制而难以应用于实践，称为光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT）。只有
24、门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手段,晶闸管的结构与工作原理,1.3.1,37,晶闸管的基本特性,1. 静态特性 总结前面介绍的工作原理，可以简单归纳晶闸管正常工作时的特性如下：承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。,1.3.2,38,晶闸管的伏安特性 第I象限的是正向特性 第III象限的是反向特性,图1-8 晶闸管的伏安特性IG2IG1IG,晶闸管的基本特性,1.3.2,39,1) 正向特性 IG=0
25、时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。晶闸管本身的压降很小，在1V左右。导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维持电流。,晶闸管的伏安特性,晶闸管的基本特性,1.3.2,40,2) 反向特性晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。 晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如
26、无限制措施，则反向漏电流急剧增加，导致晶闸管发热损坏。,晶闸管的伏安特性,晶闸管的基本特性,1.3.2,41,2. 动态特性,图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形,晶闸管的基本特性,1.3.2,42,1) 开通过程延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。上升时间tr：阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。开通时间tgt以上两者之和，tgt=td+ tr （1-6）普通晶闸管延迟时为0.51.5s，上升时间为0.53s。,晶闸管的开通和关断过程波形,晶闸管的基本特性,1.3.2,43,2) 关断过程反向阻断恢复时间trr：正向电流降为零到反向恢复电流衰
27、减至接近于零的时间正向阻断恢复时间tgr：晶闸管要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通。实际应用中，应对晶闸管施加足够长时间的反向电压，使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作。 关断时间tq：trr与tgr之和，即 tq=trr+tgr （1-7)） 普通晶闸管的关断时间约几百微秒。,晶闸管的开通和关断过程波形,晶闸管的基本特性,1.3.2,44,1.3.3 SCR的主要参数,UDRM（90% UDSM ）门极断开，结温为额定值，允许重复加在器件上的正向峰值电压；URRM (90%URSM ) 门极断开
28、，结温为额定值，允许重复加在器件上的反向峰值电压；UTM晶闸管通以倍或规定倍数额定通态平均电流值（IT（AV）时的瞬态峰值电压；额定电压UT 通常取UDRM和URRM 中较小的那个数值。实际应用中，一般取正常工作时所承受峰值电压的23倍。,45,IT（AV）环境温度40，规定的冷却条件下，晶闸管中通过单相工频半波电流，导通角不小于120，电阻性负载，所允许通过的最大通态平均电流，又称额定电流 ；举例说明: 实际应用中，由于流过晶闸管的电流波形通常不是正弦半波电流，此时允许的电流平均值应根据有效值相等的原则来确定：,46,对于正弦半波电流，电流有效值I1.57Id 1.57IT（AV）对于任意波
29、形，电流有效值IKfId由II 1.57IT（AV）KfId所以 a. 已知IT（AV）可求出任意电流波形的Id或Imb. 已知任意电流波形的Id或Im可求出IT（AV）IH 晶闸管从较大的通态电流降至能保持通态所需的最小阳极电流；IL晶闸管加上触发电流（压）后，刚从断态转为通态就撤除触发信号并能维持通态所需的最小阳极电流；ITSM晶闸管通以额定通态平均电流，稳定后在工频正弦波半周期间器件能承受的最大过载电流。晶闸管的型号K P - 通态平均电压组别 额定电压等级（100V或200V一级）额定电流系列（1,3,5,10,20,30,50,100,200,300,400,500,600,800,
30、1000A）例如KP10012G,47,晶闸管的派生器件,1. 快速晶闸管（Fast Switching ThyristorFST)包括所有专为快速应用而设计的晶闸管，有快速晶闸管和高频晶闸管。管芯结构和制造工艺进行了改进，开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10s左右。高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。由于工作频率较高，选择通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应。,1.3.4,48,2.双向晶闸管（Triode AC SwitchTRIAC或Bidirectional triode thyristor
31、）,图1-10 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安特性,晶闸管的派生器件,1.3.4,可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。有两个主电极T1和T2，一个门极G。正反两方向均可触发导通，所以双向晶闸管在第和第III象限有对称的伏安特性。与一对反并联晶闸管相比是经济的，且控制电路简单，在交流调压电路、固态继电器（SSR）和交流电机调速等领域应用较多。通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。,49,3. 逆导晶闸管（Reverse Conducting ThyristorRCT）,图1-11 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符
32、号 b) 伏安特性,晶闸管的派生器件,1.3.4,将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。逆导晶闸管的额定电流有两个，一个是晶闸管电流，一个是反并联二极管的电流。,50,4. 光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT）,图1-12 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安特性,晶闸管的派生器件,1.3.4,又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子。大功率光控晶闸管则还带有光缆，光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器。光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。,
