ALD 原子层沉积综述及实验进展 汇报人：谢来军ALD 原子层沉积综述及实验进展 ALD发展过程简介 ALD反应过程 ALD的自限制性及其特点 ALD的前驱体 ALD 技术的发展 ALD技术的应用 试验过程ALD 发展过程简介 原子层淀积(ALD)是一种基于表面气相化学反应的薄 膜淀积技术。也称为原子层外延(ALE)技术。 1960年代,前苏联科学W.B.Aleskowskii首次报道了利 用TiCl 4 和GeCl 4 前躯体进行ALD生长的工艺。 19世纪 70年代就由芬兰人 T. Suntola 和 J. Anston 取 得了该技术的专利。 限制：复杂的表面化学反应 生长速率慢 发展：90年代中期，集成电路尺寸向纳米级发展 沉 积速率慢逐步得到解决ALD 反应过程 (1) 第一种反应 前体以脉冲的方 式进 入反应 腔并化学吸附在衬 底表面; (2) 待表面吸附饱 和后, 用惰性 气体将多余的反应 前体吹洗出 反应 腔; (3) 接着第二种反应 前体以脉冲的方式 进 入反应 腔 ,并与上一次化学吸附在表 面上的前体发 生反应; (4) 待反应 完全后再用惰性气体 将多余的反应 前
