二、化学气相沉积的特点 三、CVD方法简介 一、化学气相沉积的基本原理 四、低压化学气相沉积（LPCVD） 五、等离子体化学气相沉积 六、其他CVD方法 4-3 化学气相沉积工艺(CVD)一、化学气相沉积的基本原理 Gas Solid 能 量 反应前 A 反应后 B 反应 A+ （活化能） CVD 方法 热 热CVD 等离子 等离子CVD 光 光CVD一、化学气相沉积的基本原理 化学气相沉积的基本原理 化学气相沉积的定义 化学气相沉积是利用气态物质通过化学反应在基片 表面形成固态薄膜的一种成膜技术。 化学气相沉积（CVD） Chemical Vapor Deposition CVD反应是指反应物为气体而生成物之一为固体的 化学反应。 CVD完全不同于物理气相沉积（PVD）化学气相沉积的基本原理 CVD和PVD 一、化学气相沉积的基本原理化学气相沉积的基本原理 CVD CVD法实际上很早就有应用，用于材料精制、装 饰涂层、耐氧化涂层、耐腐蚀涂层等。 在电子学方面PVD法用于制作半导体电极等。 CVD法一开始用于硅、锗精制上，随后用于适合 外延生长法制作的材料上。 表面保护膜一开始只限于氧
