第二章 位错理论 1n 一、晶体中的缺陷 n 晶体结构特点是长程有序。 n 构成物体的原子、离子或分子等完全按照空间点阵规则排列 的，将此晶体称为理想晶体。 n 在实际晶体中，原子的排列不可能这样规则和完整，而是或 多或少地存在着偏离理想结构的区域，出现了不完整性。 n 通常把实际晶体中偏离理想点阵结构的区域称为晶体缺陷。 2n 根据几何形态特征，可把晶体缺陷分为三类： n (1)点缺陷 、(2)线缺陷、(3) 面缺陷 n (1)点缺陷：特征是在三维空间的各个方向上的尺寸都很小 ，亦称为零维缺陷。如空位、间隙原子等。 n (2)线缺陷：特征是在两个方向上的尺寸很小，在一个方向 上的尺寸较大，亦称为一维缺陷。如晶体中的各类位错。 n (3) 面缺陷：特征是在一个方向上的尺寸很小，在另外两个 方向上的尺寸较大，亦称二维缺陷。如晶界、相界、层错、 晶体表面等。 3n 研究晶体缺陷的意义： n （1）晶体中缺陷的分布与运动，对晶体的某些性能(如金属 的屈服强度、半导体的电阻率等)有很大的影响。 n （2）晶体缺陷在晶体的塑性和强度、扩散以及其它结构敏 感性的问题上往往起主要作用，而晶体的完整部
