上海交通大学 化学气相沉积（CVD）SEIEE SEIEE 化学气相沉积的基本原理 化学气相沉积的特点 CVD方法简介 低压化学气相沉积（LPCVD） 等离子体化学气相沉积 其他CVD方法SEIEE SEIEE 概念 化学气相沉积（CVD）是一种化学气相生长法。 把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物的单质 气体供给基片，利用加热、等离子体、紫外光以及激 光等能源，借助气相作用或在基板表面的化学反应（ 热分解或化学合成）生长形成固态的薄膜。 CVD法可制备薄膜、粉末、纤维等材 料，用于很多领域，如半导体工业、电子 器件、光子及光电子工业等。SEIEE SEIEE CVD法实际上很早就有应用，用于材料精制、装饰涂层 、耐氧化涂层、耐腐蚀涂层等。 CVD法一开始用于硅、锗精制上，随后用于适合外延生 长法制作的材料上。 表面保护膜一开始只限于氧化膜、氮化膜等，之后添加 了由、族元素构成的新的氧化膜，最近还开发了金属膜 、硅化物膜等。 以上这些薄膜的CVD制备法为人们所注意。CVD法制备 的多晶硅膜在器件上得到广泛应用，这是CVD法最有效的应 用场所。SEIEE SEIEE CVD法发展历程
