半 导 体 物 理 (Semiconductor Physics) 主 讲 ： 彭 新 村 信工楼519室，13687940615 Email: xcpengecit 东华理工机电学院 电子科学与技术第十一章 半导体的热电性质 11.1 半导 体热电 效应 的物理解释 11.2 半导 体热电 效应 的实际应 用11.1 半导 体热电 效应 的物理解释 一、单一半导体单一载流子的温差电动势效应 考虑下图所示均匀掺杂的p型半导体，两端与金属以欧姆接触（线 性I-V特性）相接，两端温度分别为T 0 、T 0 +T，在半导体内部形成均 匀的温度梯度。假定在T 0 与T 0 +T温度下半导体均未达到饱和电离区， 根据公式(3-46)，多数载流子浓度随温度指数增加。因此，低温端附近 载流子浓度比高温端附近低，空穴便从高温端向低温端扩散，在低温端 积累了空穴（整体带正电），高温端留下电离施主杂质（空间电荷，整 体带负电），半导体内部形成自低温端指向高温端的电场。在电场作用 下，空穴又向高温端方向漂移，当空穴的漂移与扩散运动相平衡时达到 稳定状态。这时在半导体内部有稳定的电场，两端形成一定的电势差，
