模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件 硅Si和锗Ge原子结构及简化模型 (a) Si原子结构模型图 (b) Ge原子结构模型图 (c) 简化模型图本征半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体称为本征半导体。 通过特殊工艺， 可使硅或锗材料形成 晶体结构，每个原子 与周围的4个原子以 共价键的形式紧密结 合着，并排列成整齐 的晶格结构。 价 电 子 共 价 键 单晶体中的共价键结构 当温度 T = 0 K 时，半 导体不导电，如同绝缘体 。+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征半导体中的自由电子和空穴 自由电子 空穴 若 T ，将有少数价 电子克服共价键的束缚成 为自由电子，在原来的共 价键中留下一个空位 空穴。 T 自由电子和空穴使本 征半导体具有导电能力， 但很微弱。 空穴和自由电子称为 载流子。杂质半导体 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 一、 N 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如磷、锑 、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。 二、 P 型半导
