第六章 双极型模拟集成电路 集成化元、器件及其特点 集成差分放大电路 电流模电路 功率输出级电路 集成运算放大器 第二节 第一节 第五节 第四节 第三节第一节 集成化元、器件及其特点 一 集成电路工艺简介 以制造NPN管的工艺流程为例 氧化 光刻 隐埋层扩散 外延和氧化 隔离扩散 选择隔离槽 P型硅片 1 平面工艺2 电路元件制造工艺 基区扩散 发射区扩散 蒸铝 NPN 选择基区 选择发射区 选择电极 引线窗口 选择要去 除的铝层硅片上的管芯 集成电路的封装 (a)双列直插式 (b)圆壳式二 集成化元、器件 1 NPN晶体管 在P型硅片衬底上扩散N 隐埋层，生长N型外延层，扩散P 型基区，N 型发射区和集电区2 PNP晶体管 从隔离槽P 上引出集电极，载流子沿晶体管断 面的垂直方向运动 优点： 制造方便 基区较NPN宽 特征频率高 输出电流大 缺点 由于隔离的需要，C极必须接电路电源最低电位 常作射极跟随器 1)纵向PNP管(2)横向PNP管: 发射极和集电极横向排列，载流子沿断面水平运动。 缺点： 由于加工原因，基区宽度比普通NPN大12个数量级， 很小，特征频率低 优点： 因为由轻
