气 相 沉 积 技 术 vapor deposition technology Date: 2010.10.13 2 气 相 沉 积 技 术 气相沉积技术概述 物理气相沉积 化学气相沉积 小结 四 一 二 三3 一、气相沉积技术概述 气相沉积技术是一种在基体上形成一层功能膜的技术， 利用气相之间的反应，在各种材料或制品表面沉积单层或多 层薄膜，从而使材料或制品获得所需的各种优异性能。 物理气相沉积 (PVD) 气相沉积技术 化学气相沉积 (CVD) n区别在于：反应物的来源是否经过化学变化。4 项 目 物理气相沉积(PVD) 化学气相沉积(CVD) 物质源 生成膜物质的蒸气，反 应气体 含有生成膜元素的化合物蒸气，反应气 体等 激活方法 消耗蒸发热，电离等 提供激活能，高温，化学自由能 制作温度 2502000 （蒸发源） 25至合适温度（基片 ） 1502000 （基片） 成膜速率 5250um/h 251500um/h 用途 装饰，电子材料，光学 材料精制，装饰，表面保护，电子材料 可制作薄 膜的材料 所有固体（C、Ta、W困 难）、卤化物和热稳定 化合物 碱及碱土类以外的金属（A
