CCD图象传感器的应用技术尺寸测量光学工程 王春谊一、图像传感器的历史 早在 1873年，约瑟 美 (Joseph May)及伟洛比 史密夫 (WilloughbySmith)就发现了硒元素结晶体感光后能产生电流，这是电子影像发展的开始。以后陆续发明了几种不同类型的图像传感器。其中有 20世纪 50
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1、ube， 简称 PMT)和 70年代出现的 电荷耦合装置 (Charge Coupled Device， 简称CCD)。
20世纪末，又有三种新型的图像传感器问世了，其中比较普遍应用的是 互补氧化金属半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor， 简称CMOS)。
PMT PMT从五十年代发展到现在，技术已经非常成熟。
它的形状就像一个圆柱体的小灯泡，直径约一寸，长度约二寸；内置多个电极，将进入的光信号转化为电信号，最高动态范围可达4.2，而且它非常耐用，可以运作十万小时以上。
但是由于它的造价相当高，目前只是应用于专业的印刷、出版业的扫描仪及工程分析。
CMOS CMOS技术已发展了数十年， CPU和内存便是由 CMOS组成。
但直到 1998年它才被用于制作图像传感器。
CMOS的优点是结构比 CCD简单，耗电量只有普通 CCD的 1/3左右，并且它的制造成本比 CCD要低。
自从佳能公司在专业数码单反相机 EOS D30中采用了 CMOS以来，已经有越来越多的数码单反相机使用它，目前数码单反相机中几乎有一半采用 CMOS作为图像传感器。
CCD。
