集成电路制造工艺之氧化ppt课件

1、1 集成电路制造工艺与工程应用讲义 20180928 3 介绍工艺集成： PN结隔离技术 LOCOS硅局部氧化隔离技术 STI浅沟槽隔离技术2 集成电路制造工艺与工程应用讲义 20180928 隔离技术 半导体集成电路是通过平面工艺技术把成。

2、半导体制造工艺流程半导体相关知识 本征材料：纯硅 910个9 250000.cm N型硅： 掺入V族元素磷P砷As锑Sb P型硅： 掺入 III族元素镓Ga硼B PN结：N P半导体元件制造过程可分为 前段Front End制程 晶圆处理制。

3、国际微电子中心集成电路设计原理1第一章 集成电路制造工艺流程 集成电路Integrated Circuit 制造工艺是集成电路实现的手段，也是集成电路设计的基础。
Date国际微电子中心集成电路设计原理21. 无生产线集成电路设计技术 随着集。

4、集成电路制造 集成电路制造 工艺 工艺集成电路的发展历史 集成电路 Integrated Circuit，缩写 IC 通过一系列特定的加工工艺，将晶体管二极管等 有源器件和电阻电容等无源器件，按照一定的电路 互连，集成在一块半导体单晶片如硅。

5、第二章 氧 化 2.1SiO2的结构及性质2.2SiO2的作用2.3硅的热氧化生长动力学2.4决定氧化速率常数和影响氧化速率的各种因素2.5热氧化过程中的杂质再分布2.6初始氧化阶段以及薄氧化层的生长2.7SiSiO2界面特性 SiO2具有。