集成电子技术基础教程习题与习题解答-一篇2章

1、第四章 集成触发器和时序逻辑电路 题2.4.1 电路如图题2.4.1所示。已知AB波形，判断Q的波形应为A BCD中的哪一种。假定触发器的初始状态为0。 图题2.4.1 解：电路是一个由或非门构成的基本触发器，当都为1时，而当0，1时，则，。

2、题2.4.18 试用负边沿JK触发器和与或非门构成一个四位数码并行寄存和一个四位数码串行输入右移移位寄存器。 1J C1 1K 组合 逻辑电路 1J C1 1K 组合 逻辑电路 1J C1 1K 组合 逻辑电路 1J C1 1K 组合 逻辑。

3、第一章 习题题2.1.1 完成下列数制或代码转换1 1721022 0.81231023 10101101.01012104 3625108165 0.17281626 4CA16210解： 1 17210 1010110022 0.812。

4、第三章组合逻辑电路题2.3.1 某功能的逻辑函数表达式为Lm1,3,4,7,12,14,15;1试用最少量的与非门实现该函数；2试用最少量的或非门实现该函数；3试用7454型4432与或非门实现该函数。解： 1设变量为ABCD，用卡诺图化简。

5、第二章 集成逻辑门电路题2.2.1 试用图题2.2.1所示的与非门或非门与或非 门和异或门实现非门功能的等效电路图。 图题2.2.1解：与非门或非门与或非 门和异或门实现非门功能的等效电路他别如图所示。 1111题2.2.2 试画出用三个二。

6、第二章 集成运算放大器题3.2.1 某集成运放的一个偏置电路如图题3.2.1所示，设T1T2管的参数完全相同。问：1 T1T2和R组成什么电路2 IC2与IREF有什么关系写出IC2的表达式。图题3.2.1解：1 T1T2和R2组成基本镜像。

7、第五章 习 题题2.5.1 静态RAM与动态RAM相比，各有什么特点解：两种RAM列成表以作比较比较内容静态RAM动态RAM存储容量较大存储容量更大功耗较大更小存取速度快更快题2.5.2 将包含有32768个基本存储单元的存储电路连接成40。

8、第三篇第四章 功率变换电路题3.4.1 一双电源互补对称电路如图题3.4.1所示，设已知VCC12V,RL16，I为正弦波。求：1在三极管的饱和压降VCES 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率Pom；2每个管子允许的管耗PC。

9、第一章 放大电路的动态和频响分析题3.1.1 对于放大电路的性能指标，回答下列问题：1 已知某放大电路第一级的电压增益为40dB，第二级的电压增益为20dB，总的电压增益为多少dB2 某放大电路在负载开路时输出电压为4V，接入3 k的负载电。

10、第二章 信号处理电路 题4.2.1 说明仪用放大器和程控放大器各有什么特点，它们分别应用于什么场合。题4.2.2 三运放构成的精密放大器如图题4.2.2所示，试写出 vO的表达式。 图题4.2.2解：题4.2.3 图题4.2.3所示的电路中。

11、第三篇第三章 反馈放大电路及应用 题3.3.1 怎样分析电路中是否存在反馈如何判断正负反馈；动态 静态反馈交直流反馈；电压电流反馈；串并联反馈解：根据电路中输出回路和输入回路之间是否存在信号通路，可判断是否存在反馈。利用瞬时极性法，可以判断。

12、第一章 信号发生电路题4.1.1 一个负反馈放大器产生自激振荡的相位条件为，而正弦振荡器中的相位平衡条件是，这里有无矛盾题4.1.2 振荡器的幅度平衡条件为，而起振时，则要求，这是为什么题4.1.3 RC桥式正弦振荡器如图题4.1.3所示，。

13、第三章 场效应晶体管及其电路分析题1.3.1 绝缘栅场效应管漏极特性曲线如图题1.3.1ad所示。1 说明图ad曲线对应何种类型的场效应管。2 根据图中曲线粗略地估计：开启电压VT夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS或IDO的数值。 图题1.。

14、第二章 半导体三极管及其电路分析题1.2.1 有二个晶体管，一个200，ICEO200A；另一个50，ICEO10A其余参数大致相同。你认为应选用哪个管子较稳定解： 选50,ICEO10A的管子较稳定。题1.2.2 有甲乙两个三极管一时辨认。