1、1 模拟电子技术 复习题综合（第 1、 2 章）一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成 N 型半导体。A. 二 B. 三 C. 四 D. 五2、在 N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为 P 型半导体。A. 二 B. 三 C. 四 D. 五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。A. 大于 B. 等于 C. 小于4、在 P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A. 大于 B. 等于 C. 小于5、本征半导体温度升高以后， C 。A. 自由电子增多，空穴数基本不变B. 空穴数增多，自由电子数基本不变C. 自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D. 自由电子
2、数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。A. 电子 B. 空穴 C. 离子 D. 分子7、 PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定8、设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程是 C 。A. ISeU B. TIeSC. )1e(STUID. IS9、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿10 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11 、当温度升高时，二极管的反向饱和
3、电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能12 、工作在放大区的某三极管，如果当 IB 从 12A 增大到 22A 时， IC 从 1mA 变为 2mA ，那么它的 约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 1013 、当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨导 gm 将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能14 、晶体管是 A 器件。A. 电流控制电流 B. 电流控制电压 C. 电压控制电压 D. 电压控制电流 15 、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。A. IB B. IC C. U
4、BE D. UCE 16 、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图 1 为 D ；图 2 为 A 。 基极电位总是处于中间 A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管17 、增强型 PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型 PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。A. 只能为正 B. 只能为负 C. 可正可负 D. 可正可负，也可为零 6V 0V 5.7V图 1 3V 9V 2.3V图 2218 、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。A. 可变电阻（欧姆）区 B. 截止区 C. 饱和区 D
5、. 击穿区 19 、表征场效应管放大能力的重要参数是 B 。A. 夹断电压 UGS(off) B. 低频跨导 gm C. 饱和漏极电流 IDSS D. 开启电压 UGS(th)20 、场效应管是 D 器件。A. 电流控制电流 B. 电流控制电压 C. 电压控制电压 D. 电压控制电流21 、基本共射放大电路中，基极电阻 Rb 的作用是 A 。A. 限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B. 把基极电流的变化转化为输入电压的变化C. 保护信号源 D. 防止输出电压被短路22 、基本共射放大电路中，集电极电阻 Rc 的作用是 B 。A. 限制集电极电流的大小 B. 将输出电流的变化
6、量转化为输出电压的变化量C. 防止信号源被短路 D. 保护直流电压源 EC23 、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出 UCE 0 ，可能是因为 A 。A. Rb 短路 B. Rb 开路 C. Rc 短路 D. 过小24 、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压 uo 和晶体管集电极电压 uc 的波形，二者相位 A 。A. 相同 B. 相反 C. 相差 90 D. 相差 27025 、 NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小 Rb 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A. 饱和 B. 截止 C. 双向 D. 相位26 、分压式偏置工作点稳定电路，当
7、 50 时， IB=20A ， IC=1mA 。若只更换 100 的晶体管，而其他参数不变，则 IB 和 IC 分别是 A 。A. 10A ， 1mA B. 20A ， 2mA C. 30A ， 3mA D. 40A ， 4mA27 、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的 B 。A. 输入电阻大 B. 输入电阻小 C. 输出电阻大 D. 输出电阻小28 、放大电路产生零点漂移的主要原因是 A 。A. 环境温度变化引起参数变化 B. 放大倍数太大C. 采用了直接耦合方式 D. 外界存在干扰源29 、要求
8、组成的多级放大电路体积最小，应选 B 耦合方式。A. 阻容 B. 直接 C. 变压器 D. 阻容或变压器30 、放大电路的三种组态（ C ） 。A. 都有电压放大作用 B. 都有电流放大作用C. 都有功率放大作用 D. 都不是一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为 30dB 和 40dB ，则放大器的总增益为（ C ） 。A. 30dB B. 40dB C. 70dB D. 1200dB31. 多级放大器与单级放大器相比，电压增益将（ A ） 。A. 提高 B. 降低 C. 不变 D. 不确定3二、 填空1、 PN 结中扩散电流的方向是： 从 P 区到 N 区 ，漂移电流的方向
9、是 从 N 区到 P 区 。2、 PN 结的最大特点是 单向导电性 。3、使 PN 结正偏的方法是：将 P 区接 高 电位， N 区接 低 电位。4、 PN 结正偏时，有利于 多数 载流子的运动，阻碍 少数 载流子的运行。5、 PN 结反偏时，内电场与外电场的方向 相同 ，空间电荷区变 宽 ，有利于 少数 载流子的漂移运动，阻碍 多数 载流子的扩散运动，此时 PN 结呈现的电阻 大 ， PN 结处于 截止 状态。6、温度增加 PN 结呈现的电阻将会变 小 。7、 P 型半导体中的多数载流子是 空穴 ， N 型半导体中的多数载流子是 电子 。以上为第一章习题8、从基极输入，从集电极输出的是共 射
10、 极电路，从基极输入，从发射极输出的是共 集电 极电路。9、从栅极输入，从漏输出的是共 源 极电路；从栅极输入，从源极输出的是共 漏 极电路。10 、共 集电极 放大电路的电压放大倍数不可能大于 1，共 基极 放大电路的电流放大倍数不可能大于 111 、某多级放大器中各级电压增益为：第一级 25dB 、第二级 30dB 、第三级 15dB 、第四级 60dB ，放大器的总增益为 100 ，总的放大倍数为 10 。12 、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数 Avo 的 0.707 时，所对应的两个频率分别称为 上限频率 和 下限频率 ，它们之间的频率范围，称为放大电路的 通频带 ，它是放大电路
11、频率特性的一个重要质量指标。13 、多级电压放大器级间耦合方式有 直接 耦合、 变压器 耦合和 阻容 耦合三种。三、 判断题1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。 （ ）2、 PN 结正向电流的大小由温度决定的。 （ ）3、 PN 结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。 （ ）4、在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。 （ ）5、因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）6、 PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ）7、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ）8、结型场效应管外加的栅 -源电压应使栅 -源
12、间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 RGS 大的特点。（ ）9、若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 UGS 大于零，则其输入电阻会明显变小。 （ ）以上为第一章习题10 、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）11 、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）12 、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ）13 、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）14 、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ）15 、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）16 、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和
13、失真。 （ ）17 、 某两级放大器中各级电压增益为：第一级 2dB 、第二级 3dB ，放大器的总增益为 6 dB 。 （ ）四、 分析题1、已知稳压管的稳定电压 UZ 6V ，稳定电流的最小值 IZmin 5mA ，最大功耗 PZM 150mW 。试求左图所示电路中电阻 R 的取值范围。4解：稳压管的最大稳定电流IZM PZM /UZ 25mA电阻 R 的电流为 IZM IZmin ，所以其取值范围为 k8.1360ZI2、下图示电路中，已知输入R1=1k ， RL=3k ， UI=12V ， UZ=6V ， IZ=5mA ， PZM =90mW ，问输出电压 UO 能否等于 6V ？解：
14、稳压管正常稳压时，工作电流 IDZ 应满足IZ IDZ IZM ，而 mAVWZM15690即 5mA IDZ 15mA设电路中 DZ 能正常稳压，则 UO=UZ=6V 。可求得： mARII LILR4显然， IDZ 不在稳压工作电流范围内。以上为第一章习题3、测得工作在放大电路中三极管 1、 2、 3 脚的电位分别是 3.5V ， 2.8V ， 7.8V 。试判断它是 NPN 型还是 PNP 型，是硅管还是锗管，并在图上分别标出 e、 b、 c。4、管子对地电位如图所示。判断管子的工作状态和材料。解： （ A） NPN 型管。 UBE =0.1-(-0.2)=0.3V ， JE 正偏，UB
15、C 0.1-6 -5.9V ， JC 反偏。故该管工作在放大状态，为锗管。（ B） PNP 型管。 UEB =1-0.3=0.7V ， JE 正偏，UCB -2-0.3 -2.3V ， JC 反偏。故该管工作在放大状态，为硅管。（ C） NPN 型管。 UBE = -3-(-2)=-1V ， JE 反偏，UBC -3-0 -3V ， JC 反偏。(A)+0.1V6V-0.2V-3V(C)-2V0V+0.3V-2V +1V(B)+5.5V+6V+5.3V(D) (E)+4V4V+4V5故该管工作在截止状态。（ D） PNP 型管。 UEB =6-5.3=0.7V ， JE 正偏，UCB 5.5-
16、5.3 0.2V ， JC 正偏。故该管工作在饱和状态，为硅管。（ E） NPN 型管。 UBE = 4-4=0V ，UBC 4-4 0V 。则该管可能被击穿损坏，也可能电路接线问题。5、判断以下两工作电路处于何种状态图（ a）没有放大作用。 VBB 对信号有短接作用； UBE 过大， JE 可能烧毁。在 VBB 中串接电阻 RB。图（ b）没有放大作用。放大元件 T 没有合适的偏置状态。 RB 接点移至到 C1 后。五、 计算题 (都为第二章习题 )1、在右图所示电路中，已知 RB1 =5k, RB1 =20k, RE=2.3k, RC=RL=10k, VCC =15V, =80, rbb
17、100 ， UBEQ =0.7V 。试求解：（ 1）估算静态工作点 Q；（ 2）估算电压放大倍数 Au、输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro。（ 3）若将晶体管换成 为 100 的管子， Q 点将如何变化？（ 4）若 CE 开路，则 Au 与 Ri 将如何变化。解（ 1）求解 Q 点。因为 RB1 (1+ ) RE，所以 AmIUVVEQBBCB 512081373152021 . VRVECC 7230.).()( （ 2）求解 Au、 Ri 和 Ro。画出微变等效电路618208./beLurRAk./ 421521 beBikCo（ 3）当 由 80 变为 100 时， ICQ 与 UCEQ
18、 基本不变，而 A.1010mIEQB（ 4） CE 开路，那么电路的微变等效电路如图 P79T2.3.4 所示。 1723801211 .)(./)()( EbeLEbbeLu RrRirA k/)(/ 9052eBiRk0Co2、如右图所示电路中，已知 VCC =15V, RB=750k, RC=RL=5.1k, =80, rbb 100 。试求解：（ 1）静态工作点 Q；（ 2） RL 接入和断开两种情况下的 Au。（ 3）输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro。（ 4）若信号源有内阻，且 RS=1.42k ，则负载时的 Aus ？解：（ 1）利用估算法求 Q mVUIBCBECBQ 2075
19、01.AI6280.VRCQCEQ 841.k.)mA(V()(261 EbeIr7（ 2）求 AuIEQ ICQ =1.6mA先求RL 断开时 28741580.beLrRAuRL 接入时 2.beLur（ 3）求解 Ri 和 Ro。 k./154CobeBi（ 4）求负载时的 Aus721441)(.uisuRA3、如下图所示电路中，已知 RB=250k ， RE=5k ， VCC=15V ， =80 ， rbe=2k ， UBEQ = 0.7V 。试求解：（ 1） 估算静态工作点 Q；（ 2）求 RL= 5k 时的电压放大倍数 Au 和输入电阻 Ri 。解： （ 1） 先求静态工作点 Q
20、（ 2） 当 RL=5k 时，k.)mA(.V)()(26128010 EbeIrRB +VCCC1 C2TRE RLui uoA2m0.581207.)1( EBQCQRUVI8.BEIV1.6578.1QCk.2/E890.5281.)1(LbeuRrAk1582501/EBi9 模拟电子技术 复习题综合（第 3、 4 章）一 填空题3-1 差分放大电路，若两个输入信号 uI1 = uI2 ，则输出电压， uO= 0 ；若 u I1 =100 V， u I 2=80 V 则差模输入电压 uId = 20 V；共模输入电压 uIc = 90 V。3-2 乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流
21、 ICQ = 0 、静态时的电源功耗 PDC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。3-3 差动放大器输入信号为零时，输出电压偏离其起始值的现象称为 失调电压 。3-4 理想情况下，集成运放的各项技术指标为 : AV= ， Ri= ， RO= 0 ， BW 从 0 到 ， KCMR = ， V V = 0 ， I I = 0 。3-5 在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为 共模 信号；大小相等，极性或相位相反的两个输入信号称为 差模 信号。3-6 集成运放的输入级都采用 差动放大 电路，输出级通常采用 甲乙类互补
22、电路。3-7. 在甲类，乙类和甲乙类三种功率放大电路中，效率最低的是 甲类 ，失真最小的是 甲乙类 。4-1 串联负反馈可以使放大器的输入电阻 增大 ，并联负反馈可以使放大器的输入电阻 减小 ，电压负反馈可以使放大器的输出 电压 稳定，电流负反馈可以使放大器的输出 电流 稳定。4-2 射极输出器的特性归纳为：电压放大倍数 约等于 1 ，电压跟随性好，输入阻抗 大 ，输出阻抗 小 ，而且具有一定的 电流 放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是 电压串联负反馈 。4-3. 直流负反馈的作用是 稳定静态工作点 。二 判断题3-1. 一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。 （ ）3-
23、2. 一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）3-3. 差动放大电路的 AVD 越大越好，而 AVC 则越小越好。 （ ）3-4. 零点漂移就是静态工作点的漂移。 （ ）3-5. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ）3-6. 不管差分放大电路的参数是否理想对称， RE 均有共模负反馈作用。 （ ）103-7 差分放大电路采用恒流源代替 RE 是为了增大差模放大倍数。 （ ）3-8 放大电路采用复合管是为了减小输入电阻和放大倍数。 （ ）3-9. 镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （ ）3-10. 在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载
24、电阻能够增大差模放大倍数。 （ ） 同时也可以增大共模抑制比。 （ ）4-1 射极输出器是电压串联负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。 （ ）三 选择题3-1 、直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了 C 。A. 稳定增益 B. 提高输入电阻 C. 抑制温漂 D. 扩展频带3-2 、差模信号是差分放大电路两个输入端信号的 B 。A. 和 B. 差 C. 比值 D. 平均值3-3 、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻 RE 可视为 B 。A. 开路 B. 短路 C.2 RE D. RE3-4 、在长尾式差分放大电路中， RE 的主要作用是 B 。A. 提高差模增益 B.
25、 提高共模抑制比C. 增大差分放大电路的输入电阻 D. 减小差分放大电路的输出电阻3-5 、将单端输入 -双端输出的差分放大电路改接成双端输入 -双端输出时，其差模放大倍数将 A ；改接成单端输入 -单端输出时，其差模放大倍数将 C 。A. 不变 B. 增大一倍 C. 减小一半 D. 不确定3-6 、将单端输入 -双端输出的差分放大电路改接成双端输入 -双端输出时，其输入电阻将 A ；输出电阻将 A ；若改接成单端输入单端输出时，其输入电阻将 A ，输出电阻将 C 。A. 不变 B. 增大一倍 C. 减小一半 D. 不确定3-7 、差分放大电路抑制零点温漂的能力是双端输出时比单端输出时 A 。A. 强 B. 弱 C. 相同 D. 无法比较3-8 、由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻 A ，而等效的直流电阻 C 。A. 很大 B. 很小 C. 不太大 D. 等于零3-9 、与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是 ( C )。A不用输出变压器 B不用输出端大电容 C效率高 D无交越失真3-9 、与乙类功率放大电路比较，甲乙类功率放大电路的主要优点是 D 。
