1、 第 1章 绪 论 1.1 教 学 要 求 本章是模拟电子技术课程教学的开篇，旨在让学生对这门课程的发展历程、课程内容、特点和学习方法进行了解，以唤醒学生的学习兴趣，激发学生的学习欲望。 1.2 基 本 概 念 1. 信号及其分类 信号是携带信息的载体，可以分为模拟信号和数字信号两大类。模拟信号是指在时间上和幅度上均具有连续性的信号，从宏观上看，我们周围的大多数物理量都是时间连续、数值连续的变量，如压力、温度及转速等。这些变量通过相应的传感器都可转换为模拟信号。数字信号是指幅度随时间不连续变化的、离 散的信号，如电报码和用电平的高与低表示的二值逻辑信号等。 2. 电子线路及其分类 用于产生、传
2、输和处理模拟信号的电子电路称为模拟电路，如放大电路、滤波电路、电压 /电流变换电路等，典型设备有收音机、电视机、扩音机等；用于产生、传输和处理数字信号的电子电路称为数字电路，典型设备是电子计算机等。模拟电路和数字电路统称为电子线路。目前，模拟电路和数字电路的结合越来越广泛，在技术上正趋向于把模拟信号数字化，以获取更好的效果，如数码相机、数码电视机等。 3. 电子技术及其分类 电子技术 是研究电子器件、电子电路和电子系 统及其应用的科学技术，可分为模拟电子技术和数字电子技术。研究模拟电路的电子技术就是模拟电子技术，研究数字电路的电子技术就是数字电子技术。 4. 电子管 电子管就是一个特殊的灯泡，
3、不过除灯丝以外 ， 还有几个 “ 极 ”， 里面的灯丝与极都有连线与各自的管脚相连。最简单的电子管是二极管，它有两个极 (阴极和阳极，有的灯丝还兼作阴极 )， 其中， 阴极有发射电子的作用，阳极有接收电子的作用 。二极管具 有单向导电的特性，可用作整流和检波。 在二极管的基础上 增加一个栅极就成了 电子 三极管，栅极2 能控制电流，栅极上很小的电流变化， 都会 引起阳极很 大的电流变化，所以， 电子 三极管有放大作用。 5. 晶体管和集成电路 1) 晶体管 通俗地说，晶体管是半导体做的固体电子元件 。 像金 、 银 、 铜 、 铁等金属，它们导电性能好，叫做导体 。 木材、玻璃、陶瓷、云母等不
4、易导电，叫做绝缘体 。 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，叫半导体 。 晶体管就是用半导体材料制成的 ， 这类材料 中 最常见的便是锗和硅两种 。 晶体管的出现是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩 。 与 电子管相比，晶体管具有诸多优越性： 晶体管的构件是没有消耗的 ； 晶体管消耗电子极少，仅为电子管的十分之一或几十分之一 ； 晶体 管不需预热，一开机就工作 ； 晶体管结实可靠，比电子管可靠 100 倍，耐冲击、耐振动 。 2) 集成电路 集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、 电容 和电感等元件及 连线 ，制作在一小块或几小块半导体晶
5、片或介质基片上，然后封装在一个管壳内， 便 成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组 成一个整体 。 集成电路具有体积小 、 重量轻 、 引出线和焊接点少 、 寿命长 、 可靠性高 、 性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工 用 、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到 了 广泛的应用，同时在军事、通 信 、遥控等方面也得到 了 广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度 可 比晶体管提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。 1.3 学习方法指导 第 1 章属于综述类型，是本课程的开篇。在学习本章时，主要了解电子技术的作用、功能与发展阶段
6、及各发展阶段的特点。 第 1 章 FPGA 及其硬件描述语言 VHDL 3 第 2章 二 极管及其电路 2.1 教 学 要 求 半导体二极管是模拟电路的基本构件之一，在学习电子电路之前，必须对它的结构、工作原理、特性及其应用有充分的了解。本章教学要求如下。 (1) 理解半导体中两种载流子 电子和空穴的物理意义。理解 N 型和 P 型半导体的物理意义及 PN 结的形成机理。 (2) 熟练掌握 PN 结的单向导电性，理解 PN 结的伏安特性方程的物理意义。 (3) 掌握半导体二极管的特性及主要参数，熟练掌握半导体二极管的模型对基本应用电路的分析。 (4) 掌握稳压管的特性及主要参数，以及稳压管构成
7、的稳压电路。 2.2 基 本 概 念 1. 半导体的基本知识 半导体是一种导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。它的导电能力与温度、光照和掺杂浓度有关。 1) 本征半导体 硅 (Si)和锗 (Ge)是具有四个共价键结构的半导体材料，如图 2.1 所示。 纯净且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下，本征半导体内最重要的物理现象是本征激发 (又称热激发或产生 )，如图 2.2 所示。本征激发产生两种带电性质相反的载流子 自由电子和空穴。温度越高， 本征 激发越强。 图 2.1 本征硅或锗的晶体结构 图 2.2 本征激发产生自由电子空穴对 4 2) 杂质半导体 在本征硅 (或锗 )中
8、掺入微量五价 (或三价 )元素后形成 N 型 (或 P 型 )杂质半导体。 N 型半导体如图 2.3 所示， P 型半导体如图 2.4 所示。 图 2.3 N 型半导体 图 2.4 P 型半导体 N 型 (P 型 )半导体产生自由电子和杂质正离子对 (空穴和杂质负离子对 )。由于杂质电离，N 型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴；而 P 型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。在常温下，多子 少子。多子 浓度和掺杂浓度有关，几乎等于杂质浓度，与温度无关；而少子浓度是温度的敏感函数。杂质半导体的电导率比本征半导体高很多。 3) 半导体中的两种电流 半导体中存在因内电场作用产生的少数载流子漂移电
9、流 (这与金属导电一致 )，以及因载流子浓度差而产生的多数载流子扩散电流。 2. PN结的基本知识 1) PN 结 在具有完整晶格的 P 型和 N 型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层 PN结，如图 2.5 所示。 图 2.5 PN 结的形成 当浓度差引起的多子的扩散运动和内电场引起的少子的漂移运动达到动态平衡时，就形成了 PN 结 。 第 1 章 FPGA 及其硬件描述语言 VHDL 5 2) PN 结的单向导电性 PN 结加正向偏置时，能形成较大的正向电流， PN 结正向电阻很小；加反向偏置时，反向饱和电流很小， PN 结呈高阻这就是 PN 结的单向导电性。 3. 半导体二极管 普通
10、二极管内部就是一个 PN 结， P 区引出正电极， N 区引出负电极。 1) 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性方程为 DTDS(e 1)vViI。在低频下，二极管具有单向导电特性，正偏时导通；反偏时截止。 SI 称为反向饱和电流。 2) 二极管的主要参数 二极 管的主要参数有：最大整流电流；最大反向工作电压；反向电流 RI (反向饱和电流SI )；最高工作频率。 4. 二极管电路的分析方法 二极管是一种非线性器件，可以采用图解法和等效模型分析法。 1) 图解法 把电路分成两个部分，一部分是由二极管组成的非线性电路，另一部分则是由电源、电阻等线性元件组成的线性部分。分别画出非线性部分 (二极管
11、 )的伏安特性曲线和线性部分的特性曲线，两条特性曲线的交点即为电路的工作电压和电流。 2) 等效模型分析法 二极管的等效模型有四种：理想、恒压降、折线和微变等效模型。一般情况下，理想模型和恒压降模型用得较多。 5. 二极管的应用 二极管广泛用于整流电路 (半波整流、全波整流、桥式整流 )、限幅电路 (顶部限幅、底部限幅、双向限幅 )、开关 (嵌位 )电路以及通信电路 (检波器、混频器 )等中。 6. 特殊二极管及其应用 1) 稳压二极管 稳压二极管 (简称稳压管 )具有稳压作用，其稳压特性表现在反向击穿的状态下。稳压管反向击穿后的曲线越陡，则稳压性能越好。当稳压管工作在正向偏置或反向偏置但未到
12、击穿值时，则其状况 相当于普通二极管。稳压管的符号、伏安特性及反向击穿时的模式如图 2.6 所示。 稳压管的主要参数有： ZV 稳压值； ZMI 最大稳定电流值； Zr 动态电阻，Z /r v i ； ZP 额定功耗， Z Z ZMP V I ； 温度系数。 2) 稳压管稳压电路 稳压二极管具有很陡的反向击穿特性，当反向电流有很大变化时，稳压管两端的电压几乎保持不变，利用该原理可设计稳压电路。稳压管的稳压功能是靠稳压管稳压特性和限流电阻的电压调节作用相互配合来实现的。 6 图 2.6 稳压管的符号、伏安特性及反向击穿时的模型 2.3 重点难点分析 (1) 本征半导体是指完全纯净的、结构完整的半
13、导体晶体。半导体中有两种载流子参与导电 (这也是其与导体区别的一个重要特征 )。自由电子与空穴的电量相等，极性相反，迁移方向相反 。半导体中的载流子数目越多，导电电流就可能越大。半导体的一个重要特性就是其导电性能对温度很敏感。 本征半导体的导电能力很弱 (载流子浓度低 )，不能满足电子电路的要求。在本征半导体中掺入微量的不同价的其他元素 (杂质 )，可大大提高载流子的浓度，从而改善导电性能。 常在硅或锗半导体中掺入五价元素 (磷、锑 )形成 N 型半导体。 N 型半导体中：多子 为 电子；少子 为 空穴。提供电子的杂质元素称为“施主杂质”。在硅或锗半导体中掺入三价元素(硼、铟 )形成 P 型半
14、导体。 P 型半导体中：多子 为 空穴；少子 为 电子。提供空穴的杂质元素称为“受主杂质 ”。多数载流子的浓度决定于掺杂浓度，少数载流子的浓度与温度有关 。 (2) PN 结是构成各种半导体器件的基础。 PN 结的形成原理是：由于掺杂不同， P、 N间存在多子浓度的差异 (P 区的多子为空穴； N 区的多子为电子 )；浓度差引起多子的扩散运动，且其在交界处产生复合，留下由于晶格化而不能运动的正负离子 (不参与导电 )，称为空间电荷。空间电荷区平衡时，产生的电压一般为零点几伏，又称为“接触电位差”。扩散运动继续进行，空间电荷区加宽。同时空间电荷区产生内电场 (方向为正离子区指向负离子区 )，其作
15、用是阻止扩散，而使少子产生漂移运 动。最终达到动态平衡 (这时电场力等于扩散力 )，空间电荷区不再加宽。空间电荷区的几种称谓包括：耗尽层、阻挡层、势垒区。从半导体的导电角度来看，非空间电荷区呈现低电阻特性，而空间电荷区则具有阻止电流的作用，呈现高阻特性。空间电荷区越宽，电阻值越大，反之亦然。 PN 结外加正向电压 正向偏置时，由于是多子导电，因而外加电压的微小变化将使电流有较大的变化。结果，扩散力大于电场力 由多子形成的扩散 (正向 )电流起主导地位，而少子形成的漂移电流可忽略不计，空间电荷区变窄，电阻变小。当外加负向电压 反向偏置时，电场力大 于扩散力 由少子形成的漂移 (反向 )电流起主导
16、地位，而多子形成的扩散电流可忽略不计，空间电荷区变宽，电阻变得很大。即 PN 结有单向导电特性 (正偏导通，反偏截止 )。 当 PN 结的外加电压进一步增加时，会产生反向击穿 (电击穿 )，有齐纳击穿和雪崩击穿第 1 章 FPGA 及其硬件描述语言 VHDL 7 两种。电击穿具有“自愈性” (可逆性 )。对硅材料而言，一般来说，外加电压大于 6V 时 的击穿为雪崩击穿，呈正温度系数；小于 4V 时 的击穿为齐纳击穿，呈负温度系数；介于 4V和 6V 之间时的温度系数很小。当反向电流过大，击穿的时间较长时， PN 结的物理结构会因温度过高而遭到破坏，这种情况 称为热击穿。热击穿具有不可逆性，使用
17、中应避免。 PN 结上同时存在势垒电容 BC 和扩散电容 DC ，正偏时 DC 起主要作用，反偏时 BC 起主要作用。低频时因 DC 、 BC 的数值很小、容抗很大，因而其作用可忽略。而高频时，其容抗较 小，对电路将产生影响，使 PN 结的单向导电性变差。 (3) 实际的二极管伏安特性与 PN 结的理想伏安特性大体相同， 但 稍有区别 ，即 正向偏置要经过一个门坎电压 thV (也称为死区 电压 )才能开启二极管 (这是因为正向偏置首先需要克服引线电阻及体电阻的存在 )，如图 2.7 所示 。在 “ 死区 ” 内，二极管呈现高阻，通常认为这时的二极管不导通。一般在定量计算时，仍可用 PN 结的
18、伏安方程来近似描述二极管。 图 2.7 半导体二极管伏安特性 (4) 由于二极管具有单向导电性，所以在一般应用 场合以及误差要求不高时，二极管在电路中的工作状态可分为“导通”或者“截止”。导通时管子呈现的电阻很小 (理想情况下为零 )，截止时管子呈现的电阻很大 (理想情况下为无穷大 )。 判断二极管在电路中的工作状态的常用方法是：先假设二极管断开，然后求断开两端的电压，若端电压大于等于其导通电压 (门坎电压 )，则管子导通，反之则截止。导通后的管压降通常取一个常值。 (注意：门坎电压和管压降常值根据管子材料以及二极管等效模型的不同而不同。 ) (5) 对二极管电路的分析可采用图解法和等效模型分
19、析法。两种方法各有不同的特点，在不同的环 境下应用效果也不同，使用中应根据条件合理选用，否则会影响分析。二极管的等效模型有四种，即理想模型、恒压降模型、折线模型和微变等效模型，如图 2.8图2.11 所示。一般，当电源电压远大于二极管的导通压降时，就可以利用理想模型来分析。如果考虑二极管的两端电压，则恒压降模型较好，它比理想模型更接近实际情况，因此应用比较广泛。一般在二极管电流大于 1mA 时，恒压降模型的近似精度还是相当高的。如果二极管导通时的电压和正向电阻都不可忽略，应采用折线模型。这种模型可在信号变化较大时使用，更接近实际曲线，其近似程度比前两种模 型都好。如果二极管在导通后只工作在某固
20、定值 Q 的小范围内，则可采用微变等效电路，微变等效模型只适用于小信号工作情况。一般情况下，理想模型和恒压降模型用得较多。 8 图 2.8 理想模型 图 2.9 恒压降模型 图 2.10 折线模型 图 2.11 微变等效模型 (6) 稳压管工作在反向击穿区时，可输出稳定的工作电压；当稳压管工作在正向偏置或反向偏置但反向电压未到击穿值时，则其状况相当于普通二极管。设计稳压管稳压电路时，要正确选取限流电阻，使稳压管在一定的负 载条件下正常工作，如图 2.12 所示。 图 2.12 稳压管稳压电路图 使输出电压不稳定的因素主要有两个，一个是 VI 的变化，另一个是 RL 的变化。根据稳压管的伏安特性
21、曲线， OV 的微小变化将会使流过稳压管的电流发生剧烈的变化，这时即可通过限流电阻两端电压的变化来补偿输入电压或负载的变化，从而达到稳定输出电压的目的。 在工作中，当 VI和 RL 变化时，为了保证稳压管正常稳压，必须保证稳压管电流 IZ在IZMIN IZM 的范围内。因此，必须合理选择限流电阻 R。 通过计 算，限流电阻的取值范围为 I M I N ZI M A X ZO M I N Z M O M A X Z M I NVVVV RI I I I R 值选得小一些，电阻上的损耗就会小一些； R 值选得大一些，电路的稳压性能就好一些。 2.4 学习方法指导 本章的重点是二极管与稳压管的伏安特
22、性、基本电路及其分析方法。本征半导体、杂质半导体和 PN 结等相关知识是学习二极管和稳压管的基础。 在了解了半导体 (本征、杂质 )的基本机理后，充分掌握 PN 结是由多子的扩散运动和少第 1 章 FPGA 及其硬件描述语言 VHDL 9 子的漂移运动两者共同形成的，是一种动态平衡。 PN 结具有单向导电性，二极管的工作原理主要是基于 PN 结的单向导电性。对于 二极管电路的分析，通常采用等效模型分析法，其关键在于正确判断电路中二极管的工作状态，在外加电压远大于导通电压时，采用理想或恒压降模型进行等效。 判断电路中的二极管处于导通状态还是截止状态时，应掌握以下两种基本方法。 (1) 断开二极管
23、，设定参考零电位点，分析电路断开点的开路电压。如果该电压能使二极管正偏，且大于二极管的死区电压，二极管导通；否则二极管截止。 (2) 如果电路中有多个二极管，可先利用方法 (1)分别判断各个二极管两端的开路电压，开路电压高的二极管优先导通；当此二极管导通后，再根据电路的约束条件，判 断其他二极管的工作状态。 对于稳压管应知道其工作于反向击穿区，有稳定的输出电压，以及稳压管稳压电路中限流电阻的选择方法。 2.5 典型例题分析 【 例 2.1】 在室温 (300K)条件下，若二极管的反向饱和电流为 1nA，问它的正向电流为 0.5mA 时的外加电压是多少？ 解 ：二极管的伏安特性方程为 DTDS(
24、e 1)vViI，其中 VT=26mV，将已知参数带入方程，可得 故 D39 0 .0 2 6D0 .5 1 0 1 1 0 e 10 .3 4 Vvv 【 例 2.2】 已 知二极管电路如图 2.13 所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并确定二极管的输出电压 OV 。设二极管为理想二极管。 图 2.13 例 2.2 的电路图 解 ：判断二极管在电路中的工作状态的常用方法是：先假设二极管断开，然后求断开两端的电压，若两端电压大于等于其导通电压 (门坎电压 )，则管子导通，反之则截止。导通后的管压降通常取一个常值 (即采用理想模型或恒压降模型 )。在用上述方法判断的过程中，如果电路中出现多个
25、二极管，则 分析时要用到 “ 优先导通 ” 和 “ 箝位 ” 的概念。对于含有多个二极管的电路，首先求出假设各二极管均断开时的阳极和阴极电位；再比较各二10 极管阳极对阴极的电位差，电位差为正且较高的二极管优先导通 (即其他二极管来不及导通时，它已导通 )，然后再决定其他二极管的状态，如果阳极对阴极电位为负值，则二极管截止；最后计算各处电压、电流。 在图 2.13(a)所示的电路中，只有一个二极管，假设其断开，回路中没有电流存在；那么二极管 VD 两端承受的电压为 10V 5V 5V。二极管接入后处于正向偏置，故二极管工作在导通状态， O 5VV 。 在图 2.13(b)所示的电路中，有多个二
26、极管，首先将 1VD 和 2VD 断开，得到两个管子承受的电压分别是： 1VD 为 9V ； 2VD 为 9V ( 6V) 15 V ；二极管 2VD 承受的正向电压高于 1VD 的正向电压，所以 2VD 优先导通；由于 2VD 优先导通，所以 2VD 的阳极箝位于 6V ，此时 1VD 因承受反向电压而反向截止。故 O 6VV 。 【 例 2.3】 假设在图 2.14 中，二极管是理想的，试画出在 i 5sin( )v t V作用下的ov波形 。 图 2.14 例 2.3 的电路图 解 ：图 2.14 所示的电路为二极管双向限幅电路，分析该题的关键是判断二极管的工作状态 。 在 iv 的正半周，当 i1vV 时， 1VD 的阳极电位高于阴极电位， 1VD 导通，此时 ov 被限定为 1V ；在 iv 的负半周，当 i2vV 时， 2VD 的阳极电位高于阴极电位， 2VD 导通， ov 此时 被限定为 2V ；在 iv 的其他时间间隔内， 1VD 和 2VD 均因被施加反向电压而截止，所以 ov的波形 始终与 iv 的波形相同 。 【 例 2.4】 电路如图 2.15 所示，二极管为硅管，输入信号 i C C1 0 s in ( ) m V 1 0 Vv tV，电容器 C 对交流信号的容抗可忽略不计，试计算输出电压ov的交流分量。 图 2.15 例 2.4 的电路图
