重庆大学电磁场习题答案第2章.doc

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1、第二章习题答案2-2 真空中有一长度为 l 的细直线,均匀带电,电荷线密度为 。试计算 P 点的电场强度:(1)P 点位于细直线的中垂线上,距离细直线中点 l 远处;(2)P 点位于细直线的延长线上,距离细直线中点 l 远处。解:(1)可以看出,线电荷的场以直线的几何轴线为对称轴,产生的场为轴对称场,因此采用圆柱坐标系,令 z 轴与线电荷重合,线电荷外一点的电场与方位角 无关,这样 处取的元电荷z,它产生的电场与点电荷产生的场相同,为:qd当R20e4zE其两个分量:(1)cos20zd(2)inzz R4eEd又 ta,cosR所以: (3)ddz2e式(3)分别代入式(1) (2)得:;

2、04Ecos dsin0z4dE(4)sisin00022d2当当又 (5)l4lsin式(5)代入式(4)得: l5E002当由于对称性,在 z 方向 分量互相抵消,故有z zEel5eE0z2z Edyl / 2d图 2-2 长直线电荷周围的电场l / 2RzP(2)建立如图所示的坐标系在 x 处取元电荷 则它在 P 点产生的电场强度为dxqR20e4E其在 x 方向的分量为: 20xd又 lR2020xxl4dRdE)-(l3lxl4 0l2l2ll20x / 1)-(xel3E2-3 真空中有一密度为 的无限长线电荷沿 y 轴放置,另有密度分别为 和mCn/2 2/1.0mCn的无限大

3、带电平面分别位于 z=3m 和 z=-4m 处。试求 p 点(1,-7,2)的电场强度2/1.0mCnE。解: 和 的带电平面产生的电场为z34340.1或zeE沿 y 轴放置的线电荷产生的电场为 mnVezxezxezxyE /12 202220 所以,p 点(1,-7,2)的电场强度为mVeEzxzxz/8.359.2241.0021应用叠加原理计算电场强度时,要注意是矢量的叠加。2-4 真空中的两电荷的量值以及它们的位置是已知的,如题图 2-4 所示,试写出电位 和),r(电场 的表达式。),(rEo xyd x Px R解:为子午面场,对称轴为极轴,因此选球坐标系,由点电荷产生的电位公

4、式得: 201021r4qp)(又 , 1)cos(rr212)cos(rdeeecr inin rdrd rr2 scsc 2120212012021 rcr4qrcr4qp )os()os( )(320301pE)( 232r2232r10 dreqcreq4 )()() cosinosin erc2rdqrc2rq41 er2rdqrc2rq41 232310 r232310 )()( )()( osinosincosos2-5 解, (1) 由静电感应的性质和电荷守恒原理,充电到 U0 后将电源拆去,各极板带电情况如图(1)所示0321dEdUABU0;301DBCA题图 2-42r1

5、A BC D+ -(1)1E2300320UUDBCBCC、D 板无电荷(2) 若将 C、D 板用导线联接,C、D 两板的电荷将在电场作用下进行中和,一直到UCD=0,内侧正负电荷全部中和掉,其它部分的电荷由于电场的作用以及电荷守恒(这时电源已拆去)而都不变化,再断开联接线时也不会变化。电荷分布情况如图(2)所示。02ECD301UdEUDBA;3ABCB; 01d0C、D 板有电荷(3)由于在联接 C、D 板时有电源,电源的作用将强迫 A、B 板间的电压UAB=U0;C、 D 板被短接强迫 UCD=0,为满足 UAB=U0 的条件,显然必须使 增大31E,到 ,也即相应的电荷密度应增大,如图

6、(3)所示。由于电场力的作用,依次1E,拆去电源与 C、D 板间联线时,情况不再变化。 02; 31UdEdE230101DBAC020UUDBCBC、D 板有电荷(4)若在继(2)之后将 A、B 板短接,则 A、B 板成为一常电位系统,由于在(2)的情况下, ,因此电荷将进行中和来达到 的强制条件。而 C、D 板与032AB 0ABU外界没有导线联接,各自板上的总电荷保持不变,但会在内外两侧间发生电荷转移。达到 后,一切电荷的转移都将停止,电荷分布如图(4)所示。ABU00A BC D+ -(2)1E023A BC D+ -(3)1E023, 0131E02321dEUAB dU021解得E

7、0313012,901UdDBAC 920dECB2-6 半径为 b 的无限长圆柱中,有体密度为 的电荷,与它偏轴地放有一半径为 a 的无限长圆柱0空洞,两者轴线平行且距离为 d,如图 2-6 所示,求空洞内的电场强度。解:由于空洞存在,电荷分布不具有对称性,由此产生的场亦无对称性,因此不能用高斯定律求解。这是可把空洞看作也充满 ,使圆柱体内无空洞,然后再令空洞中充满- ,并单独作用,0分别求出两种场的分布后叠加即可。设空洞内的电场强度为 。E第一步 单独作用,如图(b)所示, 由体密度为 的电荷产生的电场强度为 ,由高斯0 0 1Exyob (b)00 xyo d( c)图 2-6(a) 0

8、A BC D1E23112(4)定理llEqSD2002d111当所以: e2E01第二步 单独作用产生的电场强度为 ,如图(c)所示。02llqSD200d22当eE02第三步 将 和 在空洞中产生的场进行叠加,即0x001 e2de2E当当注: xed2-7 半径为 a 介电常数为 的介质球内,已知极化强度 (k 为常数) 。rerP)(试求:(1)极化电荷体密度 和面密度 ;pp(2)自由电荷体密度 ;(3)介质球内、外的电场强度 。E解:(1) , 2rkePp akrePnp(2) 因为是均匀介质,有ED00E因此 P0200rkD(3) 球内电场, ( r a )r20eak200

9、erkE或 0V0Vspp0pS dSdqdE 2-8 具有两层同轴介质的圆柱形电容器,内导体的直径为 2cm,内层介质的相对介电常数 ,31r外层的相对介电常数 ,要使两层介质中的最大场强相等,并且内层介质所承受的电压和2r外层介质相等,问两层介质的厚度各为多少?解:以圆柱心为坐标原点,径向为 轴,设单位长度上带电荷为 ,由高斯定理, 。llDsd2312Re21011RErr , ,120222err eREr10max2eREr20max2ax2max11,3,21 EcmRrrcR5.2将电位参考点设在外导体上,即 则,0|3323ln23edr,32321212 lln|23 Red

10、EedRRR , 3221 | RR0ln2llnl2 132321 R即 ,所以,内 ,外cm96.5.3/3cm5.1cm46.232-9 用双层电介质制成的同轴电缆如题图 2-9 所示,介电常数 , 内、外导体01402单位长度上所带电荷分别为 和 (1)求两种电介质中以及 和 处的电场强度与电通密度;1R3(2)求两种电介质中的电极化强度;(3)问何处有极化电荷,并求其密度。解:(1)由高斯定理可得: )R(2)(310eD电场强度 , 故 E)R(42 )(8)RE320211ee0(2) 由 ,得两种电介质中的电极化强度为PED0 )R(4833221e0(3) 内、外导体圆柱表面

11、上和两种电介质交界面上有极化电荷,它们分别是:在 处: 1R1p83)(ReP在 处: 3 34p在 处:: 2R221p 8483)( RReP2-10 有三块相互平行、面积均为 S 的薄导体平板,A 、B 板间是厚度为 d 的空气层,B、C 板间则是厚度为 d 的两层介质,它们的介电常数分别为 和 ,如题 2-10 所示。设 A、 C 两1图 2-9A B Cd d d2E10Qne120题图 2-10板接地,B 板的电荷为 Q,忽略边缘效应,试求:(1) 板间三区域内的电场强度;(2) 两介质交界面上的极化电荷面密度;(3) A、C 板各自的自由电荷面密度。解 (1) 在 A、 C 板间

12、的三介质区域内,分别为均匀电场,在 Q 为正电荷时各电场方向如图所示,从而有012EdsQ从而解得 022 11 2 00110211()()()QQEEEsss及 及(2)在两介质分界面上2101120 1n20102nnp1pSQE eDeP (3)在 A、C 板上的电荷面密度分别为012 120 20()()CQEs s及2-12 如题图 2-12 所示球形电容器中,对半地填充有介电常数分别为 和 两种均匀介质,两介12质交界面是以球心为中心的圆环面。在内、外导体间施加电压 U 时,试求:(1)电容器中的电位函数和电场强度;(2)内导体两部分表面上的自由电荷密度。解:(1)方法一:设内导

13、体带电荷为 ,外导体带电荷 ,选球坐标,应用高斯定律QQsdDS由媒质分界面条件可知,在两种介质中 ,所以2121DE,QsdEsdsdsdsDSSSSS 12121 (1)QEr1 rerQ2令外导体为参考导体,则电位函数为题图 2-12(2) 212122 RrQrdrQldERrRr 2121212121lURR121U将上式带入(1) (2)得, r21eRE 212Rr方法二 :用静电场的边值问题求解,在均匀介质 1 和介质 2 中,电位分别满足拉普拉斯方程,并且边界面条件相同,所以可判断两个区域的电位函数相同,有0U021RrRr2;取球坐标系有0rrr 22 sin1)(sini1)( 22在两种介质中, 都与 、 无关,所以0rr12)(上式的通解为 21c有边界条件解得: 1c2RU221RU所以 ,212rR r21eE(2) 两种介质中的电位移矢量分别为, 1D 2D根据分界面条件 2ne对于本题,设媒质 2 为介质,媒质 1 为导体,因此有 , 01n2eD则内导体两部分表面上的自由电荷密度为

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