1、1：蜂鸣器控制电路 无源蜂鸣器。当 BUZZ 为高电平时，三极管 T1（三极管 N 型）导通，蜂鸣器响，低电平蜂鸣器不响。R5 作用是限流。图： 1.1下面电路增加了电容 C18 和反向二极管 D2.作用是滤波和阻止反向。二极管的反向击穿电压很高。一般小功率三极管触发电压很低，0.7V，电流也很小，一般不到 1UA.图 1.2：2:IO 控制电源开关是否导通。利用三极管和 MOS 管。MOS：MOSFET 管式 FET 的一种，可以被制作成增强型或耗尽型， P 沟道或 N 沟道共四种，但实际应用的只有增强型的 N 沟道 MOS 管和增强型的 P 沟道 MOS 管，NMOS，PMOS。对于这两种
2、增强型的 MOS 管，常用的是 NMOS，特点是导通电阻小，开关电源和马达驱动的引用都是它。导通条件：NMOS：当 Vgs 大于一定的数值时，就导通；PMOS：当 Vgs 小于一定的数值时，就导通。开关损耗：不管是 NMOS 还是 PMOS，导通后都有导通电阻存在，产生损耗必然的，现在的 MOS 管导通电阻一般都是几十毫欧姆。MOS 管 AO3401：P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor导通条件：一般不要超过-12V 即可对于 AO3401 来说。下面是对不同的压差对应的阻抗值：下面是开关控制电路在工程中的应用：1：通过一个 IO
3、 管脚控制电源是否导通。2：下面是两个 MOS 管 3401,没有加入开关控制，只是上电后，VDD 就等于输入电压。此时可以两路供电，如果 J5 没有输入电压，由 VBUS 供电，经过 F1 输出 5V 电压。下面电路可以把 R10 换成开关，Q201 是始终导通状态，内部二极管压降是 0.5V 左右。注意：两个三极管方向是不同的，Q200 左边是 S，右边是 D；Q201 左边是 D，右边是 s。当 J5 有电压时，Q200 导通，Q201 也满足导通条件，压降由 0.5V 变为 0.1V。具体详解在下一节。注：VBUS 右边断开。J5 电压 R11 上测 R9 右侧VDD VBUSJ5 和
4、 VBUS同时供电5.09 0 0.46 5.07 4.6只 VBUS 供电4.21 0 0.38 4.21 4.51只有 J5 供电5.09 0 0.46 5.09 4.753：一种利用稳压管和 MOS 管构成的稳压电路。说明：VCC 既可以来自左边的 VDD5V_Control，也可以来自 PC 的 PS2 口供电Vpc_IN,哪个电压高，采用哪个。稳压电路的测量：原电路：左边 Vpc_IN 是 PS2 口电源供电，右边是机具供电 VCC。当 PS2 口供电时左边为 5V，右边 4.5V 左右，能满足机具电压要求，当 PS2 口断电时，机具能够正常工作。为了降低 PS2 口的电压降，决定采
5、用下面电路：目标是当 PS2 口有电时，使三家管 Q412 导通，从而 Q411 导通，VCC 接近Vpc_IN,此时机具采用 PS2 口电压（5V 左右）;当 PS2 不接时，机具单独供电（4.5V 左右）,电流不能由机具流向 PS2 口。采用上面参数测试记录：稳压管两端电压A（输入） B C D（输出） E B 点电流3.41 5.14 1.73 0.68 5.13 0 1.05MA3.25 4.63 1.38 0.67 4.63 0 0.71MA3.1 4.23 1.13 0.66 4.23 0 0.47 MA2.9 3.8 0.9 0.64 3.8 0 0.26 MA2.59 3.32
6、 0.73 0.62 3.32 0 0.09 MA2.34 2.9 0.56 0.5 2.35 2.25 0.05 MA2.28 2.73 0.45 0.41 2.16 2.15 0.04 MA最后面两行说明：1：MOS 管内部的二极管压降为 0.6V 左右。2：稳压管的漏电流可以使三极管导通。PN 结 0.6V 左右就可以导通。得出两个结论：1：输入电压在 3.3V 时，三极管就导通，说明电阻 R436 太大，需要减小。2：稳压管的漏电流随着输入电压的升高而升高，但是当两端电压达到 3.9V 时，电流应该大于 1 毫安。为了保证输入电压在 5V 左右能够使它稳压，必须提高电流，降低电阻，而且
7、当输入电压低于 4.7V 时，必须关断三极管。测试结果如下：稳压管两端电压A（输入） B C D（输出） E B 点电流3.94 5.15 1.21 0.69 5.15 0 5.2MA3.85 4.9 1.05 0.65 4.9 0 4MA3.8 4.76 0.96 0.63 4.76 0 3.3 MA3.77 4.65 0.88 0.59 4.65 0 2.9 MA3.76 4.62 0.86 0.58 4.62 0 2.8 MA3.72 4.48 0.76 0.51 4.03 3.70 2.5MA3.64 4.25 0.61 0.41 3.67 3.67 2 MA最后两行说明：能够满足当
8、PS2 输入电压在【4.6-5V】能够满足稳压的效果。然后进一步把大键盘串接到机具中，当机具电源断掉时，大键盘能够正常工作。当机具电源工作时也能正常工作。检测发现还有如下问题：1：质检测试发现终端机无法关机，经测试发现当终端机器关机时，Vpc_In 处仍有电压， VCC（4.84V）通过 Q411，导致 Vpc_In 点有电压（4.8V ） ，此时 D405压降为 0.3V 左右。当 Vpc_IN 突然断电时，机具供电 VCC 存在，而且断电瞬间，三极管是导通的，所有 VCC 会倒灌入终端，三极管永远打开状态。2：导致采用 PS2 口供电电压的范围不容易确定，就是说终端电压多大时，此电路正向导
9、通，同时终端断电时，Vpc_IN 电压必须小于某个值才能防止三极管Q412 导通。例子如下：说明：IRF530 特点： Vgs max 正负 20V，一般 VGS 取 12-15V 比较好。上面的电路不对。 Vgs 偏小。对于单片机 PWM 驱动高压的 MOS（饱和导通时 VGS 接近 10V），要考虑以下问题： 1.电平转换，单片机输出高电平不超过 5V，一般 VGS 取 12-15V，所以驱动电路要有电平转换能力。 2.相位转换，上面说过 MOS 是当作反相器，所以要根据负载所需的相位和单片机输出相位进行转换。如要求单片机输出高电平时 MOS 导通，驱动电路就要求是同相的。 3.开关频率，
10、不同的驱动电路对具有不同的频率响应，对于高达 1.5M 的开关频率来说，用普通三极管的简单自搭电路是很难达到要求的，基本要选择专门的驱动 IC。还有，一般光耦是不可以在几十 K 以上的频率工作于开关状态，如要隔离，6N137 是比较好的，还有专门带光隔和驱动的光耦，当1.5M 还是达不到。 4，驱动电流。虽然 MOS 在静态时基本不消耗驱动功率，但他的输入是容性的，为了尽快打开开关，减少开关损耗，需要用最快的速度向 Cgs 充电，所以驱动电路都有一个非常重要的参数就是峰值驱动电流，如200MA，600MA，1A,2A,4A,6A. 5，驱动电路的工作电压，一般 VGS 最大值不可以超过 20V，所以驱动电路的工作电压不要超过 18V 为好，向上面的电路，需要再加一个 15V 的电压，当然也可以从 40V 降压。 6.DV/DT 问题，由于 MOS 在高的 DV/DT 下容易损坏，电磁干扰也会增加。为了解决这些问题，有时需要可以加长驱动电路输出的上升/下降时间，简单的方法是加个小电阻在驱动输出和 G 极间。3：信号间电平转换。3.1 串口电平转换 3.3V 与 5V 之间的高低电平转换。可能存在的问题：假设串口速率采用 115200 那么高，低电平的时间为 8.68us，上述电路应该采用高频管（开关时间短反应快）的三极管，2N3904 满足。而 9018 不满足，时间测量如下：
