能带理论用来详细解释PN结形成和光生伏特原理-也很有用.doc

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1、1能带理论在半导体光生伏特效应中的应用内 容能带理论在半导体光生伏特效应中的应用【本讲课程的内容】一、基础知识与概念1、费米能级的定义及其物理意义1)费米能级的定义:根据量子力学理论,具有半奇数自旋量子数(通常为 1/2)的费米子,如电子,遵循泡利不相容原理,即一个量子态只能被一个粒子所占据。因此,费米子在能级中的分布遵循费米-狄拉克分布。分布函数 f(E)是指电子(研究对象 )占据能带(导带)中某个能级的几率(电子的能量越往上越高) 。如果是讨论空穴载流子的话(空穴的能量越往下越高) ,那么就应当是相应于价带中某个能级所空出(即没有被电子占据)的几率。2)费米能级的物理意义:Fermi 能级

2、(E F)实际上起到了衡量能级被电子占据的几率大小的一个标准的作用。在 E1/2;在 EEF 时,f(E) 1/2;在 E=EF 时,f(E)=1/2。因此,EF 的高低(位置)就反映了能带中的某个能级是否被电子所占据的情况。Fermi 能级上电子占据的几率刚好为 50%。E F 是一种用来描述电子的能级填充水平的假想能级1(,FBEkTfe为 玻 尔 兹 曼 常 数 .能理解22、p 型和 n 型半导体中的能级分布特点对于绝缘体和半导体,Fermi 能级则处于禁带中间。特别是本征半导体和绝缘体,因为它们的的价带是填满了价电子(占据几率为 100%) 、导带是完全空着的(占据几率为 0%) ,

3、则它们的 Fermi 能级正好位于禁带中央(占据几率为 50%) 。即使温度升高时,本征激发而产生出了电子 -空穴对,但由于导带中增加的电子数等于价带中减少的电子数,则禁带中央的能级仍然是占据几率为50%,所以,本征半导体的 Fermi 能级的位置不随温度而变化,始终位于禁带中央。对于 n 型半导体,因为导带中有较多的电子(多数载流子) ,则 Fermi 能级 EF 必将靠近导带(Ec)底 ;同时,掺入施主杂质的浓度越高,Fermi 能级就越靠近导带底。对于 p 型半导体,因为价带中有较多的自由空穴(多数载流子) ,则 Fermi能级 EF 在价带(Ev)顶之上、并必将靠近 Ev;这时,价带中

4、越是靠近 Ef 的的能级,就被空穴占据的几率越大;同时,掺入受主的杂质浓度越高,Fermi能级就越靠近价带(Ev)顶。总之,凡是 Ef 靠近导带(Ec)底的半导体必将是电子导电为主的 n 型半导体,凡是 Ef 靠近价带(Ev )顶的半导体必将是空穴导电为主的 p 型半导体。图 3.6.1 n 型和 p 型半导体的能级结构图补充:金属塑性变形其他形式:孪生3虽然严格来说,费米能等于费米子系统在趋于绝对零度时的化学势;但是在半导体物理和电子学领域中,费米能级则经常被当做电子或空穴化学势的代名词。通俗地说,费密能级就像水平面一样。在一个相通系统中,水平面必须相等。比如说,有两个水桶,里面装的水量不一

5、样,水面高度也不一样。但如果用一根管子将两个水桶连通,两个水桶之间就会发生水流,最后使两个水桶的水平面一定会相等。费密能级也是这样。两个分立的材料,费密面可以不一样。但如果这两个材料连成一个系统,就会在这两个材料之间发生电荷的移动,最终使费密能级相等。3、半导体光生伏特效应简介(太阳能电池)解释角度(能量)和PPT 角度有所不同首先考虑禁带宽度相等的 p 型半导体与 n 型半导体的结合情况,例如 p 型硅与 n 型硅的结合。如所示,受光激发后,在二者的结合区域,会产生大量的光生空穴载流子和电子载流子。当然,这些光生正、负电荷载流子还有可能再次相互结合。但【一部分光生电子( 载流子) 会移动到能

6、级较低的 n 型导带,光生空穴( 载流子) 会移动到能级较低的 p 型价带】 。其结果是在 n 型中负电荷增加,在 p 型中正电荷增加 ,形成电流。但是,这种电荷的增加不会无限进行下去,正负电荷相互分离后,会产生反电位,而阻止正负电荷进一步积累。这种反电位与正负电荷移动趋势相互平衡所到达的平衡状态,就是该太阳能电池产生的电动势的最大值。注意:共晶反应是由液相中析出不同的固相【】内的内容在看见上图以后还是不明白图 3.6.24图 3.6.2 光生伏特效应示意图二、光生伏特效应的物理本质(详细介绍)1、 p-n 结中 p 型和 n 型半导体接触初始瞬间的能级状态在一个半导体中形成 p 型和 n 型

7、两个区域,p 型和 n 型的界面就是 p-n 结。图 3.6.3 表示 p-n 结在结合瞬间的能级状态。由于 P 型区域的费密能级低于 n 型区域的费密能级,电子就会从 n 型流向p 型,以提高 p 型区域的费米能级(千万要知道费米函数、费米能级研究对象都是电子) (见下图,就很好) 。另外,空穴也从 p 型流向 n 型。电子和空穴的这种扩散运动使得 n 型区域带正电(正离子区) ,p 型区域带负电(负离子区) 。所以,p 型半导体与 n 型半导体结合后,在接触面会形成局部电位差,这一电位差将阻碍载流子继续相互扩散。3.6.3 p-n 结在结合瞬间的能级状态图 3.6.4 表示处于热平衡状态下

8、的 p-n 结的能级状态。此时,P 型区域和 n没有光照的时候没有光照的时候扩散运动扩散运动5型区域的费密能级相等。在 p-n 结附近存在一个载流子耗尽区。在这个耗尽区n 型区域的载流子电子和 p 型区域的载流子相互结合而消失,在 n 型区域留下了不能移动的施主离子,在 p 型区域则留下了不能移动的受主离子。以接触面为界限 n 型区域有一个带正电的空间电荷层,在 p 型区域有一个带负电的空间电荷层。这个空间电荷层产生一个扩散电压。 (内建电场)图 3.6.4 处于热平衡状态下的 p-n 结的能级状态当太阳光射入到 p-n 结时,p 型区域和 n 型区域都有可能出现电子激发现象,如图 3.6.5

9、 所示。当太阳光射入到 p-n 结时,n 型区域的价带 Ev 电子被激发到导带 Ec 上后,就停留在 n 型的导带上,而由于 p-n 结的 p 型区域带 负 电的吸引作用 (负离子区) ,在 n 型价带上发生上述的同时形成的空穴,会迁移到能量更稳定的 p 型的价带上去。当太阳光射入到 p-n 结时,p 型区域的价电子被激发到导带 Ec 上后,由于 p-n 结的 n 型区域带正电的吸引作用 (正离子区) ,p 型区域的价电子将迁移到能量更稳定的 n 型的导带 Ec 上,而在 p 型区域价带 Ev上同时形成的空穴则停留在该价带 Ev 上。这样一来,p-n 结不仅能将光子能量没有光照的时候有光照的时候6转变成电荷能量,更重要的是能够在空间位置(p 型区域和 n 型区域) 上将正负电荷分离开来。如果在 p-n 结的外部接上回路,这些被分离的正负电荷就可以通过回路相互结合,这就是太阳能电池。图 3.6.5 光生伏特过程示意图三、 运用能带理论巧妙设计太阳能电池1)异质结太阳能电池的朝向设计;2)纳米染料敏化太阳能电池。【本讲课程的小结】今天我们主要通过分析半导体的费米能级结构,结合费米能级的物理意义揭示太阳能电池的工作原理,为今后提高太阳能的光电效率提供了理论支持。7

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