自动检测技术复习题.doc

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资源描述

1、第一章l.检测系统由哪几部分组成? 说明各部分的作用。答:一个完整的检测系统或检测装置通常是由传感器、测量电路和显示记录装置等几部分组成,分别完成信息获取、转换、显示和处理等功能。当然其中还包括电源和传输通道等不可缺少的部分。下图给出了检测系统的组成框图。 被 测 量 传 感 器 测 量电 路电 源 指 示 仪记 录 仪数 据 处理 仪 器检测系统的组成框图传感器是把被测量转换成电学量的装置,显然,传感器是检测系统与被测对象直接发生联系的部件,是检测系统最重要的环节,检测系统获取信息的质量往往是由传感器的性能确定的,因为检测系统的其它环节无法添加新的检测信息并且不易消除传感器所引入的误差。测量

2、电路的作用是将传感器的输出信号转换成易于测量的电压或电流信号。通常传感器输出信号是微弱的,就需要由测量电路加以放大,以满足显示记录装置的要求。根据需要测量电路还能进行阻抗匹配、微分、积分、线性化补偿等信号处理工作。显示记录装置是检测人员和检测系统联系的主要环节,主要作用是使人们了解被测量的大小或变化的过程。2.某线性位移测量仪,当被测位移由 4.5mm 变到 5.0mm 时,位移测量仪的输出电压由 3.5V 减至2.5V,求该仪器的灵敏度。解:该仪器的灵敏度为mV/mm25.403S3.某测温系统由以下四个环节组成,各自的灵敏度如下:铂电阻温度传感器: 0.45/电桥: 0.02V/放大器:

3、100(放大倍数)笔式记录仪: 0.2cm/V求:(1)测温系统的总灵敏度;(2)记录仪笔尖位移 4cm 时,所对应的温度变化值。 解:(1)测温系统的总灵敏度为cm/18.020.5S(2)记录仪笔尖位移 4cm 时,所对应的温度变化值为.218.t4.有三台测温仪表,量程均为 0800,精度等级分别为 2.5 级、2.0 级和 1.5 级,现要测量 500的温度,要求相对误差不超过 2.5,选那台仪表合理?解:2.5 级时的最大绝对误差值为 20,测量 500时的相对误差为 4;2.0 级时的最大绝对误差值为 16,测量 500时的相对误差为 3.2;1.5 级时的最大绝对误差值为 12,

4、测量 500时的相对误差为 2.4。因此,应该选用 1.5 级的测温仪器。5.什么是系统误差和随机误差?正确度和精密度的含义是什么? 它们各反映何种误差?答:系统误差是指在相同的条件下,多次重复测量同一量时,误差的大小和符号保持不变,或按照一定的规律变化的误差。随机误差则是指在相同条件下,多次测量同一量时,其误差的大小和符号以不可预见的方式变化的误差。正确度是指测量结果与理论真值的一致程度,它反映了系统误差的大小,精密度是指测量结果的分散程度,它反映了随机误差的大小。6. 某压力传感器的测量范围为 010MPa,校验该传感器时得到的最大绝对误差为0.08MPa,试确定该传感器的精度等级。解:该

5、传感器的精度为:由于国家规定的精度等级中没有 0.8 级仪表,而该传感器的精度又超过了 0.5 级仪表的允许误差,所以,这只传感器的精度等级应定为 1.0 级。根据仪表校验数据来确定仪表精度等级时,仪表的精度等级值应选不小于由校验结果所计算的精度值 7. 某测温传感器的测量范围为 01000,根据工艺要求,温度指示值的误差不允许超过7,试问应如何选择传感器的精度等级才能满足以上要求?解:根据工艺要求,传感器的精度应满足:此精度介于 0.5 级和 1.0 级之间,若选择精度等级为 1.0 级的传感器,其允许最大绝对误差为10,这就超过了工艺要求的允许误差,故应选择 0.5 级的精度才能满足工艺要

6、求。 根据工艺要求来选择仪表精度等级时,仪表的精度等级值应不大于工艺要求所计算的精度值 填空1测量是借助 和 ,通过 和 ,取得被测对象的某个量的大小或符号;或者取得 与 之间的关系。 (专用技术;设备;实验;计算;一个变量;另一变量)3 直接测量是从事先 上读出被测量的大小。间接测量是利用 与 之间的函数关系,先测出 ,再通过相应的函数关系, 被测量的数值。 (分度好的表盘;被测量;某种中间量;中间量;计算出)4 直接测量方法中,又分 , 和 。 (零位法;偏差法;微差法)5 零位法 是指 与 在比较仪器中进行 ,让仪器指零机构 ,从而确定被测量等于 。该方法精度 。 (被测量;已知标准量;

7、比较;达到平衡(指零) ;已知标准量;较高)6 偏差法是指测量仪表用 相对于 ,直接指出被测量的大小。该法测量精度一般不高。 (指针、表盘上刻度线位移)7 微差法是 和 的组合。先将被测量与一个 进行 ,不足部分再用 测出。 (零位法;偏差法;已知标准量;比较;偏差法)8 测量仪表指示值 程度的量称为精密度。测量仪表指示值有规律地 程度的量称为准确度。 (不一致;偏离真值)%8.0108.1maxa 量 程 %7.0107%1maxa 量 程9 测量仪表的精确度简称 ,是 和 的总和,以测量误差的 来表示。(精度;精密度;准确度;相对值)10 显示仪表能够监测到被测量 的能力称分辨力。 (最小

8、变化)第二章1.金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么不同?答:金属电阻的应变效应主要是由于其几何形状的变化而产生的,半导体材料的应变效应则主要取决于材料的电阻率随应变所引起的变化产生的。2.直流测量电桥和交流测量电桥有什么区别?答:它们的区别主要是直流电桥用直流电源,只适用于直流元件,交流电桥用交流电源,适用于所有电路元件。3.采用阻值为 120 灵敏度系数 K=2.0 的金属电阻应变片和阻值为 120 的固定电阻组成电桥,供桥电压为 4V,并假定负载电阻无穷大。当应变片上的应变分别为 1 和 1 000 时,试求单臂、双臂和全桥工作时的输出电压,并比较三种情况下的灵敏度。解:单臂时

9、 ,所以应变为 1 时 /V,应变为 100040U 660 024U时应为 /V;双臂时 ,所以应变为 1 时330 20K0K/V,应变为 1000 时应为660 1424U/V;全桥时 ,所以应变为 1 时 /V,330 0KUK0 608U应变为 1000 时应为 /V。从上面的计算可知:单臂时灵敏度最低,双臂时为其两倍,3018全桥时最高,为单臂的四倍。4.采用阻值 R=120 灵敏度系数 K=2.0 的金属电阻应变片与阻值 R=120 的固定电阻组成电桥,供桥电压为 10V。当应变片应变为 1000 时,若要使输出电压大于 10mV,则可采用何种工作方式(设输出阻抗为无穷大)?解:

10、由于不知是何种工作方式,可设为 n,故可得:mV10230 U得 n 要小于 2,故应采用全桥工作方式。5.如图所示为一直流电桥,供电电源电动势 E=3V,R 3=R4=100,R 1和 R2为同型号的电阻应变片,其电阻均为 50,灵敏度系数 K=2.0。两只应变片分别粘贴于等强度梁同一截面的正反两面。设等强度梁在受力后产生的应变为 5 000,试求此时电桥输出端电压 U0。R1 R2R3R4 R1R2 题 6 图解:此电桥为输出对称电桥,故 /mV1520330 UK1. 电阻应变片有 、 、 和 等部分组成。其中 是应变片的核心部分。 (敏感栅;基片;覆盖层;引线;敏感栅)2. 按 材料不

11、同,电阻应变片可分为 和半导体应变片两大类。前者的敏感栅有 、 和 三种类型。 (敏感栅;金属;丝式;箔式;薄膜式)3. 当前,制作丝式敏感栅最理想的材料是 ,它的主要优点是: ; ; 和 。 (康铜;K 0大且恒定; 大; 小;工艺性好)4. 由于 而引起导电材料 变化的现象,叫应变效应。 (变形;电阻;)5.应变片的初始电阻值 R0有 、 、 、 和 等类型,其中最常用的是 。 (60;120;200;350;600;1000;120)6. 电阻应变片的温度补偿方法通常有 和 两大类。 (线路补偿法;应变片自补偿法)7. 应变片线路补偿法最常用的是电桥补偿法,它是将 应变片和 应变片接到电

12、桥的 桥臂,利用它们对电桥输出电压 这一原理,而引起温度补偿作用。(工作;补偿;相邻;不受温度影响)8. 通常采用 或 作为电阻应变片桥路。该电路不仅没有 ,而且 也比单臂应变电桥时高,同时还能起 作用。 (差动半桥;差动全桥;非线性误差;电桥灵敏度;温度补偿)9. 应变式传感器是由 、 和 组成的装置。 (弹性元件、电阻应变片、附件)10. 应变式传感器按用途的不同,可分为 、 、 传感器等等。 (力、压力、加速度)第三章1.试分析变面积式电容传感器和变间隙式电容的灵敏度?为了提高传感器的灵敏度可采取什么措施并应注意什么问题?答:如图所示是一直线位移型电容式传感器的示意图。当动极板移动x 后

13、,覆盖面积就发生变化,电容量也随之改变,其值为C=b(a-x )/d=C 0-bx /d (1)电容因位移而产生的变化量为 axb00其灵敏度为 dbxK可见增加 b 或减小 d 均可提高传感器的灵敏度。 bdax x直线位移型电容式传感器2.为什么说变间隙型电容传感器特性是非线性的?采取什么措施可改善其非线性特征?答:下图为变间隙式电容传感器的原理图。图中 1 为固定极板,2 为与被测对象相连的活动极板。当活动极板因被测参数的改变而引起移动时,两极板间的距离 d 发生变化,从而改变了两极板之间的电容量 C。12d1 固定极板 2 - - 活动极板设极板面积为 A,其静态电容量为 ,当活动极板

14、移动 x 后,其电容量为dAC(1)201x当 xd 时 则 (2)12dx)(0dC由式(1)可以看出电容量 C 与 x 不是线性关系,只有当 xd 时,才可认为是最近似线形关系。同时还可以看出,要提高灵敏度,应减小起始间隙 d 过小时。但当 d 过小时,又容易引起击穿,同时加工精度要求也高了。为此,一般是在极板间放置云母、塑料膜等介电常数高的物质来改善这种情况。在实际应用中,为了提高灵敏度,减小非线性,可采用差动式结构。1按工作原理的不同,电容式传感器可分为 、 、和 三种类型。第一种常用于测量 ,第二种常用于测量 ,第三种常用于测量 。 (变间隙式;变面积式;变介电常数式;微小位移;角位

15、移或较大的线位移;物位)2变间隙式店容传感器的初始间隙 d0 越小,传感器的灵敏度 K0 、非线性误差 0,以上说明,提高 K0 与减小 。在实际应用中,为使传感器具有足够大的 K0 值,通常使 0,如果还必须使 具有足够小的值,则还应满足 ,这就是它只能用于测量 的原理。 (越大;越大;相矛盾;d 0 减小; 小,d 0 小;微小线位移)03解决变间隙式电容传感器提高 K0 与非线性误差 间的矛盾,可采用 电容传感器,0后者与前者相比,不仅灵敏度 ,而且非线性误差也 。但是,它还受电容极板间 的限制,为此,常采用 的变间隙式电容传感器。 (差动式;提高一倍;降低;击穿电压;部分固体介质)4变

16、面积式电容传感器的电容增量 与动极板位移量 的关系为 ,其CXCX灵敏度 。因此,该传感器具有 输出特性,即具有测量线位移的 XCK和灵敏度 K 为 等优点。 ( ; ;线性;范围大;稳定常数)db5 极板长度、 极板间间隙、选介电常数 介质,都可以提高变面积式电容式传感器的灵敏度。另外,采用 的变面积式电容传感器,也可以达到提高灵敏度的目的。 (增加;减小;高;齿形极板第四章1.影响差动变压器输出线性度和灵敏度的主要因素是什么?答:影响差动变压器输出线性度和灵敏度的主要因素是:传感器几何尺寸、线圈电气参数的对称性、磁性材料的残余应力、测量电路零点残余电动势等。2.电涡流式传感器的灵敏度主要受

17、哪些因素影响?它的主要优点是什么?答:电涡流式传感器的灵敏度主要受导体的电导率、磁导率、几何形状,线圈的几何参数,激励电流频率以及线圈到被测导体间的距离等因素影响。电涡流式传感结构简单、频率响应宽、灵敏度高、测量范围大、抗干忧能力强,特别是有非接触测量的优点,因此在工业生产和科学技术的各个领域中得到了广泛的应用。3.如图所示为一差动整流电路,试分析电路的工作原理。答:这是简单的电压输出型,动铁芯移动时引起上下两个全波整流电路输出差动电压,中间可调整零位,输出电压与铁芯位移成正比。这种电路由二极管的非线性影响以及二极管正向饱和压降和反向漏电流的不利影响较大。 VU01螺线管式差动变压器主要由 、

18、 和 三部分组成。 (线圈组合;活动衔铁;导磁外壳)2螺线管式差动变压器的线圈绕组按排列方式的不同可分为 、 、 、 以及 等类型,通常采用的是 和 。 (一节式;二节式;三节式;四节式;五节式;二节式;三节式)3差动变压器在 输出电压称为零点残余电压,其频谱主要包括 和 。该电压会造成传感器再零点附近的灵敏度 、分辨率 和测量误差 。 (基波;高次谐波;降低;变差;增大)4差动整流式差动变压器常用的 ,它是先把差动变压器两各次级线圈的 分别整流,再将整流后的电流 成通路差动输出。 (测量电路;互感电势;串接)5基于法拉第电磁感应现象,块状金属导体置于 磁场中或在磁场中的作 运动时,导体将产生

19、呈 的感应电流,此电流叫电涡流。 (变化着;切割磁力线;涡旋状)6电涡流式传感器测量系统由 和 两部分组成,两者利用 来实现测试任务。 (传感器;被测体;磁场耦合程度)7当利用电涡流式传感器测量位移时,只有在 x/ras= 的范围内,才能得到较好的 和较高的 。 (0.05-0.15 ;线性;灵敏度)8填写下表:电感式传感器类型 工作原理变隙式 间隙变化 时,引起气隙磁阻的改变,导致线圈电感的变化差动变压器式 被测非电量的变化,导致线圈互感的变化,其原理为变压器原理电涡流式 利用电涡流效应原理第五章1为什么说压电式传感器只适用于动态测量而不能用于静态测量?答:因为压电式传感器是将被子测量转换成

20、压电晶体的电荷量,可等效成一定的电容,如被测量为静态时,很难将电荷转换成一定的电压信号输出,故只能用于动态测量。2压电式传感器测量电路的作用是什么?其核心是解决什么问题?答:压电式传感器测量电路的作用是将压电晶体产生的电荷转换为电压信号输出,其核心是要解决微弱信号的转换与放大,得到足够强的输出信号。3一压电式传感器的灵敏度 K110pCMPa ,连接灵敏度 K2=0.008VpC 的电荷放大器,所用的笔式记录仪的灵敏度 K3=25mmV ,当压力变化 p=8MPa 时,记录笔在记录纸上的偏移为多少?解:记录笔在记录纸上的偏移为S=100.008258=16mm1石英晶体和压电陶瓷多晶体具有 、

21、 效应,利用它们的 效应制成了电势型传感器。 (正;逆压电;正压电)2石英晶体的右旋直角坐标系统中,Z 轴称 ,该方向上 压电效应;X轴称 , 晶面上的压电效应 ;Y 轴称 ,沿 Y 轴方向上的 。 (光轴(中性轴) ;没有;电轴;垂直于 X 轴;最显著;机械轴;受力面上不产生电荷)3沿石英晶片 X 轴加力,在力作用的 上,产生 电荷,承纵向压电效应。石英晶体压电式传感器中主要用 效应。它的特点是晶面上产生的 与 呈正比,而与 和 无关。 (两晶面;异性;纵向压电;电荷密度;作用在晶面上压强;晶片厚度;面积)4若沿石英晶体 Y 轴方向加压力,在 不出现电荷,电荷出现在 上,只是 相反,称横向压

22、电效应。 (受力的两个晶面上;沿 X 轴加压力的两个晶面;电荷符号;横向压电效应)5压电陶瓷是一种人工制造的 压电材料,它是由无数细微的单晶组成,他们都有自发形成的 。压电陶瓷又叫 。 (多晶;单晶;极化方向;铁电体)极化处理前的压电陶瓷材料对外不显 ,各向 ,不具有 。 (极化方向;同性;压电特性)极化处理后的压电陶瓷受到沿 的作用力时,其 随之改变,因而在 的平面上将出现电荷量的 。它的大小与压电陶瓷的 和 的大小成正比。 (极化方向;剩余极化强度;垂直于极化方向;变化;压电系数;压力)压电陶瓷的压电系数比石英晶体的 。所以采用压电陶瓷制作的压电是传感器,其 较高。但石英晶体的 性是其他压

23、电材料无法比的。 (大得多;灵敏度;稳定)压电元件是一个电压很大的信号源,它可以等效一个 和一个 并联的等效电路。测量中要求与其它配接的放大器具有 和 。 (电荷源;电容;高输入阻抗;低输出阻抗)10电荷放大器是一个 ,高放大倍数的 ,其输出电压与压电元件 和 有关。 (电容负反馈;运算放大器;产生的电荷;反馈电容)11压电式传感器中,常把两片 的压电片叠在一起,其并联法是两压电片的 粘贴在一起, 在两边电极, 增加一倍,电容也增加一倍;其串联接法是两压电片的 粘在一起,因而上、下两极板的电荷量与 相同,总容量为 一半,输出电压 。 (同型号;负极;正电极;电荷量;正极和负极;单片;单片时;增

24、大一倍)12压电式传感器不能测量 被测量,更不能测量 。目前多用于 和动态的力或压力的测量。 (频率太低的;静态量;加速度)第六章1光电效应有哪几种?与之对应的光电元件各有哪些?答:光电效应有外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种。基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管等;基于内光电效应的光电元件有光敏电阻、光敏晶体管等;基于光生伏特效应的光电元件有光电池等。2常用的半导体光电元件有哪些?它们的电路符号如何?答:常用的半导体光电元件有光敏二极管、光敏三极管和光电池三种。它们的电路符号如下图所示:光敏二极管 光敏三极管 光电池4什么是光电元件的光谱特性?答:光电元件的光谱特性是指入射光照

25、度一定时,光电元件的相对灵敏度随光波波长的变化而变化,一种光电元件只对一定波长范围的人射光敏感,这就是光电元件的光谱特性。5光电传感器由哪些部分组成?被测量可以影响光电传感器的哪些部分?答:光电传感器通常由光源、光学通路和光电元件三部分组成,如图所示。图中 1是光源发出的光信号, 2是光电器件接受的光信号,被测量可以是 x1 或者 x2,它们能够分别造成光源本身或光学通路的变化,从而影响传感器输出的电信号 I。Ix1x2 x312光源 光学通路 光电元件6模拟式光电传感器有哪几种常见形式?答:模拟式光电传感器主要有四种。一是光源本身是被测物,它发出的光投射到光电元件上,光电元件的输出反映了光源

26、的某些物理参数,如图 a 所示。这种型式的光电传感器可用于光电比色高温计和照度计;二是恒定光源发射的光通量穿过被测物,其中一部分被吸收,剩余的部分投射到光电元件上,吸收量取决于被测物的某些参数。如图 b 所示。可用于测量透明度、混浊度;三是恒定光源发射的光通量投射到被测物上,由被测物表面反射后再投射到光电元件上,如图 c 所示。反射光的强弱取决于被测物表面的性质和状态,因此可用于测量工件表面粗糙度、纸张的白度等;四是从恒定光源发射出的光通量在到达光电元件的途中受到被测物的遮挡,使投射到光电元件上的光通量减弱,光电元件的输出反映了被测物的尺寸或位置。如图 d 所示。这种传感器可用于工件尺寸测量、

27、振动测量等场合。7.光敏c )d )122133a ) 被测量是光源 b ) 被测量吸收光通量 c ) 被测量是有反射能力的表面 d ) 被测量遮蔽光通量1 - 被测物 2 - 光电元件 3 - 恒光源a )b )22113电阻有哪些重要特性,在工业应用中是如何发挥这些特性的?答:光敏电阻是采用半导体材料制作,利用内光电效应工作的光电元件。它的重要特性是在无光照时阻值非常大,相当于断路,有光照时阻值变得很小,相当于通路。在工业应用中主要就是通过光的变化来各种电路的控制。1 的半导体表面上或 半导体上, 的现象,称为光生伏特效应。 (镀有金属膜;相接触的两种不同类型;受光照射产生电动势)2光电池是基于 直接将 转换成 的一种有源器件。 (光生伏特效应;光能;电能)3硅光电池的光谱 比硒大。它的光照度与短路电流的关系呈 ,光照度与开路电压的关系有 。使用硅光电池做测量变换元件时,最好使其工作在 。它在温度特性是指 与 随 的特性。 (光波长;线性;饱和期;接近短路工作状态;短路电流; 开路电压;温度变化)

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